[发明专利]一种开关负载谐波抑制混频器有效
| 申请号： | 201110307246.X | 申请日： | 2011-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102394567A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 陈超;吴建辉;黄成;赵强;王旭东;张理振;白春风;温俊峰 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H03D7/12 | 分类号： | H03D7/12 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种开关负载谐波抑制混频器，包括两个由跨导管与双平衡混频开关构成的谐波抑制混频器主体电路构成IQ路混频器、和一个用以产生开关负载控制信号和本振信号的时钟产生电路，所述谐波抑制混频器主体电路包括混频核心电路、开关负载级、输出缓冲级三部分。本发明提供的开关负载谐波抑制混频器，通过矢量相乘法而不是传统三相谐波抑制混频器的矢量相加法来实现谐波抑制混频功能，整个电路中只有一组混频核心电路，相对于传统的三相谐波抑制混频器的三组混频核心电路结构，具有功耗低、思路新颖、电路结构简单等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 开关 负载 谐波 抑制 混频器 | ||
【主权项】：
1.一种开关负载谐波抑制混频器，其特征在于：该混频器包括两个由跨导管与双平衡混频开关构成的谐波抑制混频器主体电路、和一个时变负载控制时钟产生电路，所述谐波抑制混频器主体电路包括混频核心电路、开关负载级、输出缓冲级三部分：所述混频核心电路包括第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第三NMOS管(M3)、第四NMOS管(M4)、第五NMOS管(M5)和第六NMOS管(M6)；所述开关负载级包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)和相对应的负载切换开关第七PMOS管(M7)；其中，第一电阻(R1)和第二电阻(R2)的阻值相等，第三电阻(R3)和第四电阻(R4)的阻值相等，且第一电阻(R1)的阻值是第三电阻(R3)的阻值的![]()
倍；所述输出缓冲级包括第八NMOS管(M8)、第九NMOS管(M9)、第十NMOS管(M10)，第十一NMOS管(M11)和电容(C0)；第一NMOS管(M1)的栅极接射频输入信号的正极(RF+)，源极接地(GND)，漏极接第三NMOS管(M3)和第四NMOS管(M4)的源极；第二NMOS管(M2)的栅极接射频输入信号的负级(RF-)，源极接地(GND)，漏极接第五NMOS管(M5)和第六NMOS管(M6)的源极；第一负载电阻(R1)一端接电源(VDD)，另一端接第三电阻(R3)的一端和第七PMOS管(M7)的源极，第三电阻(R3)的另一端接第三NMOS管(M3)的漏极；第二负载电阻(R2)一端接电源(VDD)，另一端接第四电阻(R4)的一端和第七PMOS管(M7)的漏极，第四电阻(R4)的另一端接第六NMOS管(M6)的漏极；第八NMOS管(M8)的漏极接电源(VDD)，栅极接第四NMOS管(M4)的漏极，源极接第十NMOS管(M10)的漏极；第九NMOS管(M9)的漏极接电源(VDD)，栅极接第五NMOS管(M5)的漏极，源极接第十一NMOS管(M11)的漏极；第十NMOS管(M10)的栅极接偏置电压，源极接地(GND)；第十一NMOS管(M11)的栅极接偏置电压，源极接地(GND)；电容(C0)的两端分别连接第十NMOS管(M10)的漏极和第十一NMOS管(M11)的漏极；所述两个谐波抑制混频器主体电路分别记为I路谐波抑制混频器主体电路和Q路谐波抑制混频器主体电路；所述时变负载控制时钟产生电路包括两个D触发器级联，其中一个D触发器级联包括第一D触发器(I1)、第二D触发器(I2)和第一缓冲器(Buff1)，构成产生开关负载控制信号的第一二分频电路，另一个D触发器级联包括第三D触发器(I3)、第四D触发器(I4)和第二缓冲器(Buff2)、第三缓冲器(Buff3)，构成产生本振信号的第二二分频电路；第一D触发器(I1)的时钟信号端CLK接频率综合器输出信号正极(VCO+)，第二D触发器(I2)的时钟信号端CLK接频率综合器输出信号负极(VCO-)；第一D触发器(I1)的输出端Q接第二D触发器(I2)的输入端D，第一D触发器(I1)的输出端![]()
接第二D触发器(I2)的输入端![]()
第二D触发器(I2)的输出端Q接第一D触发器(I1)的输入端![]()
第二D触发器(I2)的输出端![]()
接第一D触发器(I1)的输入端D；第二D触发器(I2)的差分输出端接第一缓冲器(Buff1)的输入端，第一缓冲器(Buff1)的输出端为两路开关负载控制信号，分别记为对应I路谐波抑制混频器主体电路的时变负载控制信号T1I、和对应Q路谐波抑制混频器主体电路的时变负载控制信号T1Q；第三D触发器(I3)的时钟信号端CLK接第一D触发器(I1)的输出端![]()
第四D触发器(I4)的时钟信号端CLK接第一D触发器(I1)的输出端Q；第三D触发器(I3)的输出端Q接第四D触发器(I4)的输入端D，第三D触发器(I3)的输出端![]()
接第四D触发器(I4)的输入端![]()
第四D触发器(I4)的输出端Q接第三D触发器(I3)的输入端![]()
第四D触发器(I4)的输出端![]()
接第三D触发器(I3)的输入端D；第三D触发器(I3)的差分输出端接第二缓冲器(Buff2)的输入端，第二缓冲器(Buff2)的输出端为对应Q路谐波抑制混频器主体电路的本振信号正极LOQ+、和本振信号负极LOQ-；第四D触发器(I4)的差分输出端接第三缓冲器(Buff3)的输入端，第三缓冲器(Buff3)的输出端为对应I路谐波抑制混频器主体电路的本振信号正极LOI+、和本振信号负极LOI-；在I路谐波抑制混频器主体电路中，第七PMOS管(M7)的栅极接开关负载控制信号T1I，第三NMOS管(M3)和第六NMOS管(M6)的栅极接本振信号正极LOI+，第四NMOS管(M4)和第五NMOS管(M5)的栅极接本振信号负极LOI-；在Q路谐波抑制混频器主体电路中，第七PMOS管(M7)的栅极接开关负载控制信号T1Q，第三NMOS管(M3)和第六NMOS管(M6)的栅极接本振信号正极LOQ+，第四NMOS管(M4)和第五NMOS管(M5)的栅极接本振信号负极LOQ-。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110307246.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：固定断路器内部附件用的附件盒
- 下一篇：带双内塞的输液容器腰形防滑组合盖
- 同类专利
- 一种低压低功耗有源混频器-201410382971.7
- 吕达文;范涛 - 南京能瑞自动化设备股份有限公司
- 2014-08-06 - 2019-03-26 - H03D7/12
- 一种可以工作在低电源电压下的单平衡有源混频器。包括RF输入信号（Vrf）的交流耦合电容C0，直流偏置电阻R0，输入管N1及其偏置管N0；还包括作为负载的MOS管N2，N3，P2和P3，其中，N2和P2通过电容C2和C3连接到正本振信号（Vlop），N3和P3通过电容C4和C5连接到负本振信号（Vlon）；负载管P2和P3的栅极的直流偏置由P0提供；负载管N2和N3的栅极的偏置由电阻R1提供，偏置电阻R1和偏置管N0在同一电流通路上，保证N2和N3的偏置电压比N1的偏置电压略高。本发明解决了现有有源混频器难以在极低电压下工作的问题，并且具有较低的功耗。
- 低三阶交调失真的有源Gilbert混频器-201610023866.3
- 郭雅娣;付军;王玉东 - 清华大学
- 2016-01-14 - 2019-01-22 - H03D7/12
- 本发明公开一种低三阶交调失真的有源Gilbert混频器，本发明主要为了改善有源Gilbert混频器三阶交调失真而进行的设计。本发明低三阶交调失真的有源Gilbert混频器包括带射极反馈电阻的Multi‑tanh doublet跨导单元，所述带射极反馈电阻的Multi‑tanh doublet跨导单元连接有用于修正其产生的跨导的跨导修正差分对。本发明通过在带射极反馈电阻的Multi‑tanh doublet跨导单元中引入跨导修正差分对，使得Multi‑tanh doublet跨导单元中输出给电流换向开关对的电流为含有较小的三阶交调失真的电流，从而使整个混频器的混频线性度提高。
- 一种超低功耗上变频混频器-201721383438.8
- 李正军 - 成都西井科技有限公司
- 2017-10-25 - 2018-05-01 - H03D7/12
- 本实用新型公开了一种超低功耗上变频混频器，包括负载级单元、开关级单元和跨导级单元；所述负载级单元、开关级单元和跨导级单元依次连接；所述负载级单元包括第一电感L1、第七电容C7、第二电感L2、第八电容C8、第五电容C5和第六电容C6；所述L1的一端、C7的一端和C5的一端共节点，且L1的另一端和C7的另一端连接电源VDD，C5的另一端连接输出端正极RF+；所述L2的一端、C8的一端和C6的一端共节点，且L2的另一端和C8的另一端连接电源VDD，C6的另一端连接输出端负极RF‑。本实用新型一种超低功耗上变频混频器，通过布置上述电路元器件，降低了所需电源电压，并且降低了功耗，从而降低了电阻的噪声。
- 基于单片集成电路的太赫兹分谐波倍频混频装置-201410619126.7
- 张波;纪东峰;杨益林;刘戈;司梦姣;钱骏;闵应存;樊勇 - 电子科技大学
- 2014-11-06 - 2017-12-15 - H03D7/12
- 本发明公开了基于单片集成电路的太赫兹分谐波倍频混频装置，基波输入波导微带过渡、CMRC结构本振低通滤波器、倍频匹配电路、四管芯倍频二极管、本振匹配电路、混频二极管、射频匹配电路、射频输入波导微带过渡、CMRC结构中频低通滤波器。减少了介质基片的个数使电路集成在一个基片上，这样还减少了腔体的加工数目，使加工装配简单，另一方面该发明减少了波导过渡的设计与加工，减小了腔体尺寸。
- CMOS下变频混频器-201310237459.9
- 刘国军;朱红卫;赵郁炜 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 2013-06-17 - 2017-12-05 - H03D7/12
- 本发明公开了一种CMOS下变频混频器，包括射频差分输入电路和开关电路，开关电路的正相和反相输出端和电源电压之间连接有由电阻和PMOS管并联形成的负载电路，负载电路的PMOS管的栅极都连接由控制电压从而能调节负载电路的负载阻抗。射频差分输入电路的两个NMOS跨导管的漏极都分别连接一恒流源，源极共同连接一LC并联电路。本发明能提高增益并实现增益可调，能提高线性度和噪声性能，能降低工作电压。
- 混频器-201610320981.7
- 朱红卫 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
- 2016-05-13 - 2017-11-21 - H03D7/12
- 本发明提供一种混频器，包括依次连接的射频输入电路、镜像电路、混频器核以及源跟随输出电路，射频输入电路用于第一射频信号和第二射频信号，第一射频信号经过镜像电路的第一节点耦合到混频器核内，第二射频信号经过镜像电路的第二节点耦合混频器核内，混频器核将第一射频信号和第二射频信号与混频器核内的本振信号进行混频，并通过第三节点将第一射频信号与本振信号混频后的信号输出到源跟随输出电路，通过第四节点将第二射频信号与本振信号混频后的信号输出到源跟随输出电路，源跟随输出电路输出经混频后的信号。本发明中，混频器的共模电压范围更大，输出电压摆幅大，并且，不需要采用现有混频器中的电流源。
- 混频开关电路及混频器-201310228294.9
- 黄颋 - 锐迪科微电子科技（上海）有限公司
- 2013-06-08 - 2017-10-10 - H03D7/12
- 本申请公开了一种混频开关电路，包括四对共源极且共漏极的NMOS晶体管和PMOS晶体管；一对差分输入信号分别连接第一对晶体管和第二对晶体管的共漏极、第三对晶体管和第四对晶体管的共漏极；第一对晶体管和第三对晶体管的共源极、第二对晶体管和第四对晶体管的共源极分别输出一对差分中间信号；每一对晶体管的栅极分别连接一对差分本振信号；所有NMOS晶体管的栅极具有NMOS偏置电压，所有PMOS晶体管的栅极具有PMOS偏置电压，并且NMOS偏置电压与PMOS偏置电压不同。本申请还公开了由该混频开关电路所组成的混频器。本申请混频器具有线性度好、噪声低的特点。
- 一种固定中频输出的多功能混频器-201710119711.4
- 陈会;陈旭;陈客松;蒋迪;石宪青 - 电子科技大学
- 2017-03-02 - 2017-07-28 - H03D7/12
- 本发明属于电子信息技术领域，提供一种固定中频输出的多功能混频器，包括场效应晶体管、偏置电路、耦合器、中频滤波器、相位调节电路、SIW谐振器及变容二极管，场效应晶体管、耦合器、相位调节电路与SIW谐振器构成并联反馈振荡环路，射频信号通过耦合器输入振荡环路，振荡环路经过中频滤波器输出中频信号；相位调节电路用于调节振荡环路相位为零；偏置电路用于为场效应晶体管提供偏置电压；变容二极管连接于SIW谐振器，用于调节SIW谐振器谐振频率。本发明多功能混频器同时实现振荡与混频功能，有效减少接收机前端体积的同时降低电路功耗，并且能够实现本振频率连续可调，从而实现在输入射频信号频率发生变化时，固定中频输出。
- 用于对毫米波长信号进行混频的集成电路-201380020343.8
- C-W·李 - 高通股份有限公司
- 2013-04-18 - 2017-05-31 - H03D7/12
- 描述了一种集成电路。所述集成电路包括毫米波长收发机电路系统。所述毫米波长收发机电路系统包括生成毫米波长振荡器信号的本地振荡器。所述毫米波长收发机电路系统还包括耦合到本地振荡器的混频器。所述混频器在没有毫米波长结构的区域内。所述混频器基于该毫米波长振荡器信号来转换信号。
- 一种基于频率合成电路的低噪音倍频器-201610397972.8
- 汤福琼 - 成都卡诺源科技有限公司
- 2016-06-07 - 2016-09-07 - H03D7/12
- 本发明公开了一种基于频率合成电路的低噪音倍频器，其特征在于，主要由处理芯片U，与处理芯片U相连接的谐波消除电路，一端与处理芯片U的VDD管脚相连接、另一端则接5V电源的电阻R5，一端与处理芯片U的VSS管脚相连接、另一端接电源的电阻R6，正极与处理芯片U的RC管脚相连接、负极经电阻R8后与处理芯片U的R管脚相连接的电容C3等组成。本发明可以减少信号频率在变换过程产生的谐波，使输出的信号更加稳定，从而降低了输出信号的倍频噪声。同时，本发明可以对信号的频率进行处理，极大的提高了信号的分辨率，从而使信号更加容易识别。
- 应用于无线通信收发机系统的改进型吉尔伯特混频器-201610247216.7
- 区力翔;章国豪;黄敬馨;朱晓锐;余凯;林俊明 - 佛山臻智微芯科技有限公司
- 2016-04-20 - 2016-07-27 - H03D7/12
- 本发明属于无线通信收发机系统，具体涉及改进型吉尔伯特混频器。应用于无线通信收发机系统的改进型吉尔伯特混频器，包括吉尔伯特混频器，吉尔伯特混频器包括跨导输入级、本振输入级和输出级，其特征在于：所述的跨导输入级和本振输入级之间设有第一节点和第二节点，所述的第一节点和第二节点上连接了线性化电路，所述的线性化电路为负反馈电路使第一节点和第二节点的共模电压保持稳定。本发明有益效果在于：吉尔伯特混频器通过外加线性化电路使得静态工作点更加稳定，从而提高了混频器的线性度。
- 射频下变频通道装置-201410677777.1
- 李梁;郭栋;苏敏;李超;窦智童 - 航天恒星科技有限公司
- 2014-11-21 - 2016-06-01 - H03D7/12
- 本发明公开了一种射频下变频通道装置，包括：下变频器，其第一输入端与射频载波输入相连，用于根据所述射频载波输入和所述本振电路的输出产生中频信号；参考晶振；鉴相器，其第一输入端与下变频器的输出端相连，其第二输入端与参考晶振相连，用于产生与中频信号的频率和所述参考晶振的频率之间的频差对应的直流电压；环路滤波器，其输入端与鉴相器的第一输出端相连；压控振荡电路，其输入端与所述环路滤波器的输出端相连，用于根据所述环路滤波器输出的直流电压生成射频信号，并将所述射频信号反馈至所述下变频器的第二输入端。通过本发明，实现对有频偏的射频载波的捕获。
- 一种低频调制解调电路-201520896583.0
- 许鸿文;徐正;何京;赵凡;姚少鹏 - 中国地质大学(武汉)
- 2015-11-11 - 2016-03-02 - H03D7/12
- 本实用新型涉及一种低频调制解调电路，包括模拟信号调制电路、数字信号解调和滤波放大电路二部分，模拟信号调制电路包括U1芯片及外围器件，U1输出带宽为0～5MHz的调制模拟信号，通过A-IN引脚接收模拟电压信号输入，通过调节电位器R3将模拟输入信号的误差降为零。数字信号解调和滤波放大电路由数字信号解调芯片和两个OPA227放大器及外围器件组成，U2的F-IN引脚从外部数字电路链接收频率信号，通过A-out输出模拟电压信号；滤波放大电路通过两个二阶低通锐滤波器将解调出的信号滤波并放大。本电路结构简单成本低，失真度小，稳定性高，适合在气象变化研究，深海探测等领域应用。
- 一种S波段高线性度、低噪声以及低增益的下变频有源混频器-201420796425.3
- 万佳;赵新强;李栋;谢李萍;魏越 - 北京爱洁隆技术有限公司;万佳
- 2014-12-15 - 2015-04-22 - H03D7/12
- 本实用新型公开了一种S波段高线性度、低噪声以及低增益的下变频有源混频器,本实用新型采用的结构是基于吉尔伯特型单元，本实用新型还设计了本振驱动电路以提供一个较好的本振输入信号并提高整体电路性能，本实用新型的优点是具有低功耗、高线性度以及低噪声的特点，能够在低增益条件下提高混频器的线性度以及噪声性能。
- 一种S波段高线性度、低噪声以及低增益的下变频有源混频器-201410778165.1
- 万佳;赵新强;李栋;谢李萍;魏越 - 北京爱洁隆技术有限公司;万佳
- 2014-12-15 - 2015-04-15 - H03D7/12
- 本发明公开了一种S波段高线性度、低噪声以及低增益的下变频有源混频器,本发明采用的结构是基于吉尔伯特型单元，本发明还设计了本振驱动电路以提供一个较好的本振输入信号并提高整体电路性能，本发明的优点是具有低功耗、高线性度以及低噪声的特点，能够在低增益条件下提高混频器的线性度以及噪声性能。
- 一种电力线载波调制解调的混频电路及解调模块-201310420753.3
- 王建安 - 深圳市凯瑞信息工程有限公司
- 2013-09-16 - 2015-03-25 - H03D7/12
- 一种电力线载波调制解调的混频电路，由第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4，第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9和第十MOS管M10、电流源IS，第一电流源IS1和第二电流源IS2及偏置电压源Vbias1组成。在传统的Gilbert吉尔伯特混频器电路的基础上对开关管引入了电流源，减弱了噪声，而转换增益指标没有因此恶化。
- 一种载波调节电路-201420182273.8
- 邱从明;傅铭;朱伟剑;王大成;颜华敏;宋旻;吴才彪;顾悦;夏催强;朱叶虓;柯德源 - 国网上海市电力公司;南京源纳科技有限公司
- 2014-04-15 - 2014-11-05 - H03D7/12
- 本实用新型公开了一种载波调节电路，包括电源、第一至第五电阻、第一至第三电容以及三极管，所述第一电阻、第二电阻、第三电容以及三极管的基极依次串接；所述第一电容一端连接所述第一电阻和第二电阻的相接端，另一端接地；所述第二电容一端连接所述第二电阻和第三电容的相接端，另一端接地；所述第三电阻一端连接所述三极管的基极，另一端接地；所述第四电阻连接所述三极管的基极和集电极；所述第五电阻一端连接所述三极管的发射极，另一端接地；所述电源连接所述三极管的集电极。本实用新型将MCU产生的方波转变成正弦的载波调节电路，并将转化后的正弦信号放大以增强驱动能力。
- 一种高增益高输出摆幅吉尔伯特混频器-201420307059.0
- 竺磊 - 中国电子科技集团公司第十四研究所
- 2014-06-11 - 2014-10-08 - H03D7/12
- 本实用新型涉及一种高增益高输出摆幅吉尔伯特混频器，包括尾电流源、跨导输入级、开关级和负载级；尾电流源电路给整个电路提供恒定的电流偏置，射频输入电压信号RFin+和RFin-通过跨导输入级，转换为电流信号，然后再通过开关级电路与本振信号LO+和LO-进行开关电流混频，混频后的电流信号再通过负载级转换为中频输出电压信号IFout+和IFout-。本实用新型与传统吉尔伯特混频器结构相比，本实用新型通过在负载电阻两端并联高阻抗的分流电路，将一部分直流偏置电流分流出去，降低了负载电阻的直流压降，提高了输出端的电压摆幅裕度，同时也可以提高负载电阻阻值以实现较大的转换增益。
- 一种低功耗高增益宽带混频器-201310538734.0
- 李智群;王冲;李芹;曹佳;王志功 - 东南大学
- 2013-11-01 - 2014-01-22 - H03D7/12
- 一种低功耗高增益宽带混频器，含吉尔伯特混频器的基本结构，设有射频巴伦、本振巴伦、跨导单元、开关单元和含有差分电感与负载端寄生电容并联的负载单元，射频巴伦将输入的射频单端信号转换成差分信号后输出至跨导单元，跨导单元将射频电压信号转换成射频电流并输入至开关单元；本振巴伦将输入的本振单端信号转换成差分信号后亦输出至开关单元，开关单元将输入的射频差分信号与输入的本振差分信号相乘后输出中频差分信号并通过含有差分电感与负载端寄生电容并联的负载单元输出，其特征在于：在开关单元之后增设正反馈单元、LCR谐振单元和缓冲单元，与含有差分电感及并联寄生电容的负载单元共同构成新的负载单元，由缓冲单元输出最终的中频差分信号。
- 混频器电路-201310109135.7
- 安库时·戈埃尔;耐锐克·方 - 联发科技（新加坡）私人有限公司
- 2013-03-29 - 2013-12-11 - H03D7/12
- 本发明实施例提供一种混频器电路，其中该混频器电路包括：多个混频器元件，该至少一个混频器元件使用具有1/3占空因数的多个非重叠时钟信号；以及其中该混频器元件的输出信号中不包含该非重叠时钟信号的第三阶谐波成分。本发明实施例通过使用占空因数为1/3的非重叠时钟信号，可以以简单的结构消除输出信号中不想要的第三阶谐波，具有低功率、小面积以及高线性的优点。
- 一种电压偏置的混频电路-201210135440.9
- 刘荣江;郭桂良;阎跃鹏 - 中国科学院微电子研究所
- 2012-05-02 - 2013-11-06 - H03D7/12
- 本发明提供了一种电压偏置的混频电路，包括：混频电路、跨阻电路、耦合电容C1、C2以及偏置电阻R1、R2；其中，输入差分电流信号分别通过耦合电容C1、C2作用到混频电路的第一输入端以及第二输入端；混频电路的第一输入端与偏置电阻R1的第一端相连，混频电路的第二输入端与偏置电阻R2的第一端相连，偏置电阻R1的第二端与偏置电阻R2的第二端相连并连接偏置电压VB。由于混频管在本振信号的作用下可以等效为一个电阻，因此该混频电路具有较高的线性度。并且本发明加入了偏置电阻R1、R2，有效的解决了本振信号幅度受限的问题。
- 一种低功耗高增益的上混频器-201320031759.7
- 李智群;吴晨健;陈亮;张萌;王志功 - 东南大学
- 2013-01-18 - 2013-11-06 - H03D7/12
- 一种低功耗高增益的上混频器，设有电流源单元、输入跨导单元、开关单元、负载单元以及电流注入单元，电流源单元的输出连接输入跨导单元，输入跨导单元放大信号并通过正反馈增强信号，然后分别输出至开关单元和电流注入单元，开关单元的输出连接负载单元，差分射频输出信号从负载单元与开关单元之间输出，差分基带或者中频信号输入至输入跨导单元与电流源单元之间，本振输入信号输入至开关单元。
- 一种上变频混频器-201320203521.8
- 龙宁 - 成都中远信电子科技有限公司
- 2013-04-22 - 2013-10-09 - H03D7/12
- 本实用新型公开了一种上变频混频器，包括第一信号输入端、第二信号输入端、第三信号输入端、发射机的第一TX端、发射机的第二TX端、发射机的第一BB端、发射机的第二BB端、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管。本实用新型能减少输入端直流失配误差会在输出端引入不必要的本振泄漏，提高信号的信噪比和动态范围。
- 一种基于可调负阻结构的多模多通道混频器-201310150806.4
- 赵珉;刁盛锡;林福江;孙景业 - 中国科学技术大学
- 2013-04-26 - 2013-08-07 - H03D7/12
- 本发明提供一种基于可调负阻结构的多模多通道(multi-standard)混频器，包括：射频输入电路，可调负阻电路，数字控制电容阵列电路和双平衡差分结构电路。射频输入电路两个输入端口接入射频信号RF+和RF-，输出端口直接与端口RFout+，RFout-相连。可调负阻电路的负阻值大小受两电平Vctrl1和Vctrl控制，输出端接入RFout+，RFout-。数字控制电容阵列电路的输入端口受数字信号控制，两个输出端口接入RFout+，RFout-。双平衡差分结构电路输入射频电流信号由端口RFout+，RFout-送入此电路，通过与本振信号LO+，LO-混频后输出中频信号IF+，IF-，继而送入后端模块。本发明的可调负阻结构电路消除了电容阵列的等效并联电阻，降低了噪声系数，提高了有源混频器的增益，并且使得混频器工作频率可以通过数字端控制，满足了宽带多通道系统的要求。
- 一种低功耗高增益的上混频器-201310019794.1
- 李智群;吴晨健;陈亮;张萌;王志功 - 东南大学
- 2013-01-18 - 2013-05-22 - H03D7/12
- 一种低功耗高增益的上混频器，设有电流源单元、输入跨导单元、开关单元、负载单元以及电流注入单元，电流源单元的输出连接输入跨导单元，输入跨导单元放大信号并通过正反馈增强信号，然后分别输出至开关单元和电流注入单元，开关单元的输出连接负载单元，差分射频输出信号从负载单元与开关单元之间输出，差分基带或者中频信号输入至输入跨导单元与电流源单元之间，本振输入信号输入至开关单元。
- 一种低功耗高增益的下混频器-201310028709.8
- 李智群;吴晨健;陈亮;张萌;曹佳;王志功 - 东南大学
- 2013-01-25 - 2013-05-22 - H03D7/12
- 一种低功耗高增益的下混频器，设有电流源单元、输入跨导单元、开关单元以及负载单元，电流源单元的输出连接输入跨导单元，射频输入信号从输入跨导单元与电流源单元之间输入，输入跨导单元放大射频信号并通过两对交叉耦合增强信号，然后输出至开关单元，本振输入信号输入至开关单元，开关单元的输出连接负载单元，负载单元通过正反馈进一步增强输出信号，差分中频输出信号从负载单元与开关单元之间输出。
- 用于电力线载波调制解调的混频器电路-201220529604.1
- 赵新毅;徐东明 - 西安龙芯电子科技有限公司
- 2012-10-16 - 2013-03-13 - H03D7/12
- 本实用新型公开了一种用于电力线载波调制解调的混频器电路，包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一电容、第二电容、电流源、第一电流源、第二电流源和偏置电压源。本实用新型在传统的Gilbert（吉尔伯特）混频器电路的基础上对开关管引入了电流源，减弱了噪声，以及，通过增加第三电阻、第四电阻，提高了混频器的线性度。
- 一种电流复用低噪放和混频器的融合结构-201120535476.7
- 陈超;吴建辉;赵强;田茜;白春风;王旭东;温俊峰 - 东南大学
- 2011-12-20 - 2012-08-29 - H03D7/12
- 本实用新型公开一种电流复用低噪放和混频器的融合结构，该结构的低噪放的输入管和下混频器跨导级复用静态偏置电流，使用电感电容并联网络来实现对来自低噪声放大器射频信号往混频器的隔离，使用电感电容网络和共栅极晶体管的高输出阻抗实现对来自混频器跨导级射频信号往低噪声放大器的隔离，对混频器中频信号往低噪声放大器方向的信号隔离是通过电流复用支路共栅极晶体管N5、N6的高输出阻抗和工作在饱和区的双平衡开关管的高输出阻抗一起实现的。低噪放和混频器复用电流大大提高了电流利用效率从而降低了功耗。同时由于本实用新型中的电流复用方式具有较高的信号隔离能力，在降低功耗的同时保证了电路的性能。
- 一种开关电容全数字混频器和抗混叠滤波器-201210141605.3
- 多尔泰;虞小鹏;潘赟 - 浙江大学
- 2012-05-09 - 2012-08-22 - H03D7/12
- 本发明公开了一种开关电容全数字混频器和抗混叠滤波器的电路，它利用开关电容对电流/电压进行采样并通过电荷分享实现数字滤波器的功能，可以通过若干位的高低电平动态地调整滤波器参数，可以实现对基于此原理的数字滤波器相频特性的优化，也可以降低使用开关电容滤波器导致的电压损失，提高整个电路的增益。
- 一种基于衬底偏置的超低耗电流复用混频器-201210109766.4
- 张晓林;申晶 - 北京航空航天大学
- 2012-04-13 - 2012-07-25 - H03D7/12
- 本发明公开了一种基于衬底偏置的超低耗电流复用混频器。该混频器包括以下几个部分：一对NMOS管和一对PMOS管组成的跨导级、两对NMOS管组成的开关级以及电阻构成的负载级。该混频器跨导级采用自偏置的互补跨导结构，并与开关级构成折叠结构，大大降低了电源电压；电路中所有的MOS管衬底均加有固定偏置电压，减小了MOS管的阈值电压，实现了超低电压超低功耗的设计；并采用电流复用技术，改善了电路的噪声性能，并提高了其转换增益和线性度。本发明可用于深亚微米射频CMOS集成电路的应用，可广泛应用于航空航天领域的电子系统中。
- 专利分类
