[发明专利]一种提高铜互连可靠性的表面处理方法无效
申请号: | 201110299092.4 | 申请日: | 2011-09-29 |
公开(公告)号: | CN102446834A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 张文广;徐强;郑春生;陈玉文 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/321 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种提高铜互连可靠性的表面处理方法,通过远端将氢气和碳氢化合物等还原性混合气体等离子化后形成的等离子气体,以去除铜互连线结构中铜金属层表面的氧化物以及化学机械研磨工艺过程中残留物,从而获得原子级的清洁表面,且提高了该表面与含氮阻挡层的结合力,因此使铜互连的抗电迁移性和抗应力迁移性能及介质层的介电击穿寿命均得到提高;同时,还可以减少对介质层的损伤,有利于芯片整体性能的提高;而由于等离子气体中不包含氮元素,在后续的与光阻接触过程中,避免了由于氮元素所导致的光阻中毒和变性的风险,进一步提高了互联关键尺寸的一致性。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 互连 可靠性 表面 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种提高铜互连可靠性的表面处理方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1:采用一定配比包含有氢气和碳氢化合物的混合气体,于远端产生等离子气体; 步骤S2:将上述等离子气体传送到铜互连线结构的表面,以去除其表面的残留物及氧化物;步骤S3:沉积介质阻挡层覆盖铜互连线结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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