[发明专利]一种发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110288569.9 | 申请日： | 2011-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103022288A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 齐继航;张旺 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/42;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包括：导电衬底；位于导电衬底上的导电层；位于导电层上的N型掺杂的GaN层；位于N型掺杂的GaN层上的发光层，所述发光层包括三个量子阱发光单元；位于发光层上的P型掺杂的GaN层；位于P型掺杂的GaN层上的透明导电层；位于透明导电层上的金属接触电极；三个量子阱发光单元可分别发出紫外光、绿光和蓝光；在发紫外光的量子阱发光单元上部的透明导电层上设置有红色荧光粉。还提供了一种发光二极管的制造方法，发光层位于N型掺杂的GaN层上，利用紫外光激发红色荧光粉发出红光，然后与绿光和蓝光复合成白光，从而得到高效率、高显色指数的发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，包括：导电衬底；位于导电衬底上的导电层；位于导电层上的N型掺杂的GaN层；位于N型掺杂的GaN层上的发光层，所述发光层包括三个量子阱发光单元；位于发光层上的P型掺杂的GaN层；位于P型掺杂的GaN层上的透明导电层；位于透明导电层上的金属接触电极；所述三个量子阱发光单元分别可发出紫外光、绿光和蓝光；在发紫外光的量子阱发光单元 上部的透明导电层上设置有红色荧光粉。
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