[发明专利]一种干法刻蚀坚硬无机材料基板的装置有效
申请号: | 201110279594.0 | 申请日: | 2011-09-20 |
公开(公告)号: | CN102368475A | 公开(公告)日: | 2012-03-07 |
发明(设计)人: | 陈波;黄成强;李超波;饶志鹏 | 申请(专利权)人: | 嘉兴科民电子设备技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 赵芳;徐关寿 |
地址: | 314006 浙江省嘉兴市南*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种干法刻蚀坚硬无机材料基板的装置,包括主支架和副支架,所述主支架上安装有刻蚀腔和分子泵,所述刻蚀腔与分子泵连接,所述副支架上安装有预真空腔,所述预真空腔与刻蚀腔连接,所述预真空腔内安装有将片盘输送到刻蚀腔的机械手,所述预真空腔与刻蚀腔均与抽真空用的机械泵连接;所述刻蚀腔的下方安装有可带动片盘在刻蚀腔内运动的下电极,所述下电极与RIE射频电源连接;所述刻蚀腔和预真空腔上均连接有进气管道,所述进气管道与控制其通气的通气系统连接,所述刻蚀腔的进气口上连接有ICP射频电源;所述机械手与下电极分别与带动其运动的伺服电机连接,所述伺服电机均与控制其运动的伺服电机控制器连接。 | ||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 坚硬 无机 材料 装置 | ||
【主权项】:
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板的装置,其特征在于:包括主支架和副支架,所述主支架上安装有刻蚀腔和分子泵,所述刻蚀腔与分子泵连接,所述副支架上安装有预真空腔,所述预真空腔与刻蚀腔连接,所述预真空腔内安装有将片盘输送到刻蚀腔的机械手,所述预真空腔与刻蚀腔均与抽真空用的机械泵连接;所述刻蚀腔的下方安装有可带动片盘在刻蚀腔内运动的下电极,所述下电极与RIE射频电源连接;所述刻蚀腔和预真空腔上均连接有进气管道,所述进气管道与控制其通气的通气系统连接,所述刻蚀腔的进气口上连接有ICP射频电源;所述机械手与下电极分别与带动其运动的伺服电机连接,所述伺服电机均与控制其运动的伺服电机控制器连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于嘉兴科民电子设备技术有限公司,未经嘉兴科民电子设备技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110279594.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造