[发明专利]NOR快闪存储器及其形成方法和接触孔的形成方法有效
| 申请号： | 201110276574.8 | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN103000634A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 王友臻;周儒领 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的NOR快闪存储器，包括：漏极；覆盖所述漏极的介质层；形成在所述介质层内的连接所述漏极的接触孔；其中，所述接触孔与所述漏极相接触的接触面的宽度为40nm到150nm，所述接触面与栅极的最近端距离为30nm到100nm。本发明另提供一种快闪存储器的形成方法和一种接触孔的形成方法。本发明提供的快闪存储器及利用上述方法形成的接触孔均可以减少存储器晶体管中的漏电流，提高存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | nor 闪存 及其 形成 方法 接触 | ||
【主权项】：
一种NOR快闪存储器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有漏极；位于半导体衬底上的栅极，所述栅极位于所述漏极的相邻区域；覆盖所述漏极与所述栅极的介质层；形成在所述介质层内并连接所述漏极的接触孔；其特征在于，所述接触孔与所述漏极相接触的接触面的宽度为40nm到150nm，所述接触面与栅极的最近端距离为30nm到100nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
