[发明专利]一种减少晶片表面缺陷的方法无效
| 申请号： | 201110276015.7 | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102303281A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 郝彦杰;刘文森;赵波;李雪峰;张永峰;刘丽杰 | 申请（专利权）人： | 北京通美晶体技术有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/00 | 分类号： | B24B37/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王朋飞;张庆敏 |
| 地址： | 101113 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减少晶片表面缺陷的方法，通过将抛光反应的温度控制在10-20℃之间来实现。该方法通过调整抛光时化学反应的温度，进而降低反应速率，调整化学反应与机械磨削的相对关系，使成膜与去膜相匹配，产生均匀的化学反应表面，不形成选择性腐蚀坑，明显降低了晶片表面缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 晶片 表面 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种减少晶片表面缺陷的方法，其特征在于，包括如下步骤：将晶片吸附在工作盘上，下降到承载抛光药液的抛光垫上，进行抛光反应，将抛光反应的温度控制在10‑20℃之间。
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