[发明专利]一种柔性IGZO薄膜晶体管无效
| 申请号： | 201110267211.8 | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102832252A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 王彬 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 曹津燕 |
| 地址： | 528225 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种柔性IGZO薄膜晶体管。该薄膜晶体管采用底栅顶接触型TFT结构，包含塑料衬底、缓冲保护层、删电极、栅绝缘层、源极以及漏极、IGZO半导体层以及保护层，其中塑料衬底位于薄膜晶体管的最下层，塑料衬底上覆盖缓冲保护层，缓冲保护层的上部中心区域采用直流磁控溅射方法制备梯形栅电极，梯形栅电极上部覆盖了栅绝缘层，栅绝缘层的两端分别覆盖至缓冲保护层上，在栅绝缘层的上部采用磁控溅射方法制备IGZO半导体层，源、漏两极中每一极中的一端分别位于半导体层的顶部的两侧，另一端位于栅绝缘层的上部。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 igzo 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种柔性IGZO薄膜晶体管，包含塑料衬底、缓冲保护层、删电极、栅绝缘层、源极以及漏极；其特征在于，该薄膜晶体管还包含IGZO半导体层以及保护层，其中塑料衬底上覆盖缓冲保护层，缓冲保护层的上部中心区域采用直流磁控溅射方法制备栅电极，栅电极上部覆盖了栅绝缘层，栅绝缘层的两端分别覆盖至缓冲保护层上，IGZO半导体层位于栅绝缘层的上部，源、漏两极分别位于半导体层的上部的两侧，半导体层被源极和漏极所覆盖，仅在半导体层的顶部，源漏两极的中间形成通道，在通道上采用PECVD制备保护层。
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