[发明专利]新型高硅铝合金电子封装材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201110263931.7 | 申请日： | 2011-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102978485A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 杨伏良;郭涵文 | 申请（专利权）人： | 长沙华希金属材料有限公司 |
| 主分类号： | C22C21/02 | 分类号： | C22C21/02;C22C1/02;H01L23/29;H01L23/373 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410083 湖南省长沙市麓*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 新型高硅铝合金电子封装材料及其制备方法，本发明的合金是由以下质量百分比的成分构成12～40%Si，0.3～0.6%Fe，0.3～0.45%Mn，0.3～0.5%Mg，其余为工业纯铝。采用喷射沉积制备锭坯，对锭坯进行消除热应力退火后再进行多次小变形量热致密化，防止合金加工开裂，从而提高材料致密度。本发明的合金具有高强度，低膨胀系数，高导热率及良好气密性等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 铝合金 电子 封装 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新型高硅铝合金电子封装材料，其特征在于：含有Al、Si、 Fe、Mn和Mg，各组分的重量百分比为： Si 12～40%，Fe 0.3～0.6%，Mn 0.3～0.45%，Mg 0.3～0.5%，其余为Al。
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