[发明专利]一种提高铅锡凸点与晶圆上铝焊盘间剪切强度的工艺有效
| 申请号： | 201110261912.0 | 申请日： | 2011-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102339770A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 朱海峰;周海;姜伟;刘帅洪 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/66 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710054 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高铅锡凸点与晶圆上铝焊盘间剪切强度的工艺，通过对晶圆表面的铝焊盘表面采用3％～5％的稀盐酸进行腐蚀清洗，然后再用去离子水冲洗干净，去除焊盘表面的氧化层，改善了漏印铅锡凸点与铝焊盘之间的粘附性，解决了铅锡凸点与铝之间浸润性差的问题，提高了凸点的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 铅锡凸点 晶圆上铝焊盘间 剪切 强度 工艺 | ||
【主权项】：
一种提高铅锡凸点与晶圆上铝焊盘间剪切强度的工艺，其特征在于：(1)腐蚀液配置：首先在石英烧杯中加入1500ml去离子水，再用量筒量取体积浓度为30％的浓盐酸200ml缓慢倒入去离子水中，并用玻璃棒搅拌均匀待用；(2)将需要处理的基片放在石英花蓝中浸入腐蚀液中，至腐蚀液完全没过基片；(3)用镊子夹住花蓝柄轻轻上下晃动1min；(4)用镊子夹住花蓝柄将花栏从腐蚀液中提出立即放入去离子水下进行喷淋冲洗，冲洗时间为30min；冲洗完毕后将基片连同花蓝一起进行真空干燥。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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