[发明专利]一种高效四结太阳能电池及其制作方法无效
申请号: | 201110234544.0 | 申请日: | 2011-08-16 |
公开(公告)号: | CN102412337A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 毕京锋;林桂江;吴志浩;刘建庆;王良均;丁杰;梁兆煊;林志东 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0687;H01L31/0693 |
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地址: | 361009 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种高效四结太阳能电池及其制备方法。提供一种双面抛光衬底,用于半导体外延生长,在上述衬底正面形成第一子电池,使其具有第一带隙;在所述的第一子电池上方形成渐变缓冲层,使其具有大于第一带隙的第二带隙;在所述的渐变缓冲层上方形成第二子电池。其具有大于第二带隙的第三带隙;在所述第二子电池上方形成高掺杂盖帽层;在所述的衬底的背面形成第三子电池,其为倒装生长,具有小于第一带隙的第四带隙;在所述的第三子电池的下方形成第四子电池,其结构也是倒装生长,具有小于第四带隙的第五带隙;在所述的第四子电池的下方外延背接触层,获得所需的太阳能电池。通过本发明可以制备出电流匹配,光谱吸收范围更广的高效四结太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种高效四结太阳能电池的制作方法,其包括如下步骤:提供一双面抛光衬底,用于半导体外延生长;在所述衬底正面形成第一子电池,其具有第一带隙;在所述第一子电池上方形成渐变缓冲层,其具有大于第一带隙的第二带隙;在所述的渐变缓冲层上方形成第二子电池;其具有大于第二带隙的第三带隙;在所述衬底的背面形成第三子电池,其为倒装生长,具有小于第一带隙的第四带隙;在所述的第三子电池的下方形成第四子电池,其为倒装生长,具有小于第四带隙的第五带隙;在所述的第四子电池的下方外延形成背接触层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的