[发明专利]一种电容及其制作方法有效
| 申请号： | 201110232289.6 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102930981A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 秦仁刚;王德进;何波涌 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/06 | 分类号： | H01G4/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电容及其制作方法，该电容采用低压正硅酸乙酯-低压氮化硅-低压正硅酸乙酯的结构，取代现有ONO电容中氧化层-氮化层-氧化层的结构，具有较高的单位电容值。另外在制作该低压正硅酸乙酯-低压氮化硅-低压正硅酸乙酯结构时，由于采用温度相对较低的低压化学气相沉积方法制作而成，因此其整个工艺产生的热量相对较低，不足以使半导体器件产生偏移，更不会使得栅极金属层或金属化硅层产生剥落。因而本发明的电容及其制作方法，可以较好的应用在0.5μm及以下的PIP电容工艺中去。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种电容，包括上极板、下极板以及中间介质层，其特征在于：所述中间介质层包括位于下极板上的第一低压正硅酸乙酯层、位于第一低压正硅酸乙酯层上的低压氮化硅层和位于低压氮化硅层上的第二低压正硅酸乙酯层，所述第二低压正硅酸乙酯位于上极板的下方。
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