[发明专利]二维光子晶体激光器及其制造方法无效
| 申请号： | 201110216405.5 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102347591A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 野田进;坂口拓生;长濑和也;国师渡;宫井英次;三浦义胜;大西大 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人京都大学;罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的二维光子晶体激光器的特征在于，具有：在以AlαGa1-αAs(0＜α＜1)或(AlβGa1-β)γIn1-γP(0≤β＜1、0＜γ＜1)作为原料的母材层内周期性地设置异折射率区域(空穴)(151)的二维光子晶体层(15)、和在二维光子晶体层(15)上利用外延法制作的外延生长层(16)。由于AlαGa1-αAs或(AlβGa1-β)γIn1-γP即使在高温下也很坚固，因此在制作外延生长层(16)时不会有破坏空穴(151)的形状的情况，可以将二维光子晶体层(15)的作为共振器的性能维持得较高。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 光子 晶体 激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种二维光子晶体激光器，其特征在于，具有：在以AlαGa1‑αAs或(AlβGa1‑β)γIn1‑γP作为原料的母材层内周期性地设置有异折射率区域的二维光子晶体层；以及在所述二维光子晶体层上利用外延法制作的外延生长层，所述AlαGa1‑αAs中，0＜α＜1，所述(AlβGa1‑β)γIn1‑γP中，0≤β＜1、0＜γ＜1。
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