[发明专利]半导体装置及其制造方法、与微机电系统装置的制造方法有效
| 申请号： | 201110205205.X | 申请日： | 2011-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN102583221A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 徐家保;朱家骅 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种半导体装置及其的制造方法、与微机电系统装置的制造方法。其中的半导体装置的制造方法包含形成一基材、形成块状硅的可移动件、形成第一凸起结构于可移动件的第一表面上，其中第一表面面对基材。本发明可使一些工艺使用高温退火，且可以降低成本，并可降低沾粘和寄生电容，非常适于实用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 微机 系统 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于该方法包含：形成一基材；形成一绝缘层于该基材上方；形成一块状硅层于该绝缘层上方；图案化该块状硅层且移除部分的该绝缘层，以形成块状硅的一可移动件；以及形成一第一凸起结构于该可移动件的一第一表面上，其中该第一表面面对该基材。
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