[发明专利]一种制备掺钨氧化钒薄膜的方法有效
| 申请号： | 201110202231.7 | 申请日： | 2011-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102251216A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 吴志明;蒋亚东;杜明军;罗振飞;王涛;许向东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 杨保刚;徐丰 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备掺钨氧化钒薄膜的方法，包括以下步骤：首先将清洗后的基片放入高真空腔室中；其次将高纯氩气通入真空腔室，在基片用基片挡板遮住的情况下通过开启钒靶溅射电源和钨靶溅射电源分别对金属钒靶和金属钨靶表面进行预溅射清洗，将高纯氧气通入真空腔室中，打开基片挡板，关闭钨靶挡板，开启钒靶溅射电源，沉积底层氧化钒薄膜；待底层氧化钒薄膜沉积完毕后，关闭氧气，关闭钒靶溅射电源和钒靶挡板，开启钨靶溅射电源和钨靶挡板，沉积中间层金属钨薄膜；待金属钨薄膜沉积完毕后，关闭钨靶溅射电源和钨靶挡板，再次通入氧气，开启钒靶溅射电源和钒靶挡板，沉积上层氧化钒薄膜；最后对沉积得到的复合薄膜进行原位退火处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 氧化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备掺钨氧化钒薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）对基片进行清洗，将清洗后的基片放入高真空腔室中；（2）制备VOx/W/VOx复合薄膜；（2.1）将高纯度的氩气通入高真空腔室中，将金属钒靶和金属钨靶置于真空腔室中，在基片用基片挡板遮住的情况下通过开启钒靶溅射电源和钨靶溅射电源分别对金属钒靶和金属钨靶表面进行预溅射清洗，其中，溅射钒靶的时候，钨靶用钨靶挡板遮住，溅射钨靶的时候，钒靶用钒靶挡板遮住；（2.2）将高纯度的氧气通入真空腔室中，打开基片挡板，关闭钨靶挡板，开启钒靶溅射电源，沉积底层氧化钒（VOx）薄膜；（2.3）待底层氧化钒薄膜沉积完毕后，关闭氧气，关闭钒靶溅射电源和钒靶挡板，开启钨靶溅射电源和钨靶挡板，沉积中间层金属钨（W）薄膜；（2.4）待金属钨薄膜沉积完毕后，关闭钨靶溅射电源和钨靶挡板，再次通入氧气，开启钒靶溅射电源和钒靶挡板，沉积上层氧化钒（VOx）薄膜；（3）对沉积得到的VOx/W/VOx复合薄膜进行原位退火处理；（3.1）沉积得到VOx/W/VOx复合薄膜后，关闭氩气与氧气，使得真空室重新恢复到高真空；（3.2）再次通入氧气，升高基片温度，进行原位退火处理；（3.3）VOx/W/VOx复合薄膜层间氧相互扩散充分后，关闭氧气流量计，掺钨氧化钒薄膜在高真空环境下自然冷却至室温。
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