[发明专利]栅极介电层制备方法及栅极结构制备方法无效
| 申请号： | 201110196665.0 | 申请日： | 2011-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102760656A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 苏国辉;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种栅极介电层制备方法，包括以下步骤：形成一介电层于一半导体基板上；进行一氮处理工艺以形成一氮化层于该介电层上；及实质上于1150-1400℃进行一热处理工艺400-800毫秒，以形成一栅极介电层。并且，可进行一于该栅极介电层上形成一栅极层的步骤，以形成一栅极结构。本发明提供一种栅极介电层制备方法，以减少等效电容厚度及减轻热处理工艺后等效电容厚度的劣化程度。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 介电层 制备 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种栅极介电层制备方法，其特征在于，包括以下步骤：形成一介电层(14)于一半导体基板(12)上；进行一氮处理工艺以形成一氮化层(16)于该介电层(14)上；及实质上在1150‑1400℃进行一热处理工艺400‑800毫秒，以形成一栅极介电层(18)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司，未经南亚科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110196665.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：通用的再浮起和下水系统及其运行方法
- 下一篇：铝电解用预焙阳极的配料方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
