[发明专利]一种利用光刻胶固化作用减少阱邻近效应的制程

摘要

本发明涉及微电子领域，尤其涉及一种利用光刻胶固化作用减少阱邻近效应的制程。本发明利用光刻胶固化作用减少阱邻近效应的制程通过利用紫外线照射在光刻胶表面，将光刻胶进行有效固化形成一层外壳，从而增加其物理阻隔，使照射在光刻胶上的离子形成漫反射，进而有效的抵御植入的离子散射到光祖边缘的硅表面上，以减少器件的WPE效应。

主权项

一种利用光刻胶固化作用减少阱邻近效应的制程，其特征在于，包括如下步骤：在一形成有阱区的衬底上覆盖一层氧化层并进一步形成氧化层中的开口，在所述开口处形成有位于衬底中用于隔离不同阱区的浅沟槽隔离结构，之后于氧化层及浅沟槽隔离结构之上旋涂光刻胶并进行光刻，形成掩遮一部分阱区的光刻胶阻挡区域；采用紫外线硬化制程，于所述光刻胶阻挡区域受紫外线照射的一侧形成一层固化层，之后对未被光刻胶阻挡区域所掩遮的阱区进行离子注入工艺；其中，所述固化层用于在离子注入工艺中抵御植入的离子从光刻胶阻挡区域的边缘处散射到邻近光刻胶阻挡区域的阱区的上表层中，从而减少最终所形成的半导体器件的阱邻近效应。