[发明专利]采用粉末冶金的硅真空固态提纯方法无效
| 申请号： | 201110186093.8 | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102862988A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 史珺 | 申请（专利权）人： | 上海普罗新能源有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201300 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用粉末冶金的硅真空固态提纯方法，包括：1)将粉状的硅料压铸成块状，放入真空炉或不适宜放置粉料的设备中，抽真空，加热到500～1400℃，并保温5～25小时；2)冷却至室温后，将硅料取出，破碎、酸洗，得到提纯的硅。本发明可以避免在抽真空过程中造成硅料的损失以及硅粉对炉内和真空系统的污染，影响真空熔炼设备的寿命，而且通过采用粘结剂，有助于硅中杂质的分离，达到提纯的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 粉末冶金 真空 固态 提纯 方法 | ||
【主权项】：
一种采用粉末冶金的硅真空固态提纯方法，包括：(1)将粉状的硅料压铸成块状，放入真空炉或不适宜放置粉料的设备中，抽真空，加热到500～1400℃，并保温5～25小时；(2)冷却至室温后，将硅料取出，破碎、酸洗，得到提纯的硅。
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