[发明专利]电子镇流器半桥驱动芯片中的自适应死区时间控制电路有效

专利信息
申请号: 201110171669.3 申请日: 2011-06-23
公开(公告)号: CN102256425A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 来新泉;袁冰;刘福博;何惠森;田磊 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H05B41/36 分类号: H05B41/36
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华;朱红星
地址: 710071 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种集成于电子镇流器半桥驱动芯片中的自适应死区时间控制电路,主要解决传统电子镇流器因死区时间固定而导致的开关损耗过大或死区效应严重的问题。本发明的自适应死区时间控制电路包括:下降沿检测电路、调节电路以及死区生成电路,其中下降沿检测电路将检测到的芯片外部半桥的输出电压转换为上、下门限电压信号传输到调节电路;调节电路判断当前死区时间是否在上、下门限之间,并根据判断结果产生控制电压信号传输到死区生成电路;死区生成电路根据控制电压信号生成死区时间,并将死区时间反馈给调节电路,该死区时间最终将稳定在上、下门限值之间。本发明减小了电子镇流器的开关损耗和死区效应,提高了电子镇流器的效率。
搜索关键词: 电子镇流器 驱动 芯片 中的 自适应 死区 时间 控制电路
【主权项】:
一种电子镇流器半桥驱动芯片中的自适应死区时间控制电路,其特征在于:包括死区生成电路(1)、调节电路(2)和下降沿检测电路(3),调节电路(2)连接在死区生成电路(1)和下降沿检测电路(3)之间,用于产生控制电压信号;下降沿检测电路(3)用于将检测到的芯片外部半桥的输出电压的下降沿转换为下门限电压信号V1和上门限电压信号V2,并将该下上门限电压信号V1、V2传输到调节电路;调节电路(2)将产生的控制电压信号VCT传输到死区生成电路;死区生成电路(1)用于产生低侧驱动信号VL和高侧驱动信号VH至芯片外部半桥,并输出电压信号DT再反馈给调节电路(3),以调节电控制压信号VCT的大小。
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