[发明专利]具有改进的锁定性质的封装半导体器件有效

专利信息
申请号: 201110167143.8 申请日: 2011-06-21
公开(公告)号: CN102299085A 公开(公告)日: 2011-12-28
发明(设计)人: 雷内·W·J·M·范登博门;扬·范·凯姆鹏 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/31;G03F7/00;H05K1/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明涉及一种制造半导体器件的方法,包括:i)提供基板;ii)在基板上提供光致抗蚀剂层,光致抗蚀剂层包括具有预成形侧壁的开口;iii)用导电材料填充开口,以限定具有与预成形侧壁相对应的另外侧壁的接触焊盘,对侧壁预成形使得开口中容纳的另外侧壁形成为具有突出部;iv)去除光致抗蚀剂层;v)提供半导体芯片,并将半导体芯片安装到基板上,使得一个端子与接触焊盘电连接;以及vi)提供保护化合物,覆盖基板和半导体芯片、且至少覆盖接触焊盘的另外侧壁中至少之一的突出部。本发明还涉及利用这种方法制造的半导体器件以及一种包括所述半导体器件的PCB。本发明促使更好地将接触焊盘锁定到化合物。
搜索关键词: 具有 改进 锁定 性质 封装 半导体器件
【主权项】:
一种制造包括半导体芯片(100)的半导体器件(1)的方法,所述方法包括:提供具有第一侧面(S1)和与所述第一侧面(S1)相对的第二侧面(S2)的基板(10);在所述基板(10)的第一侧面(S1)上提供光致抗蚀剂层(15),所述光致抗蚀剂层(15)包括延伸到所述基板(10)并且具有预成形侧壁(18)的开口(16);用导电材料(20)填充所述开口(16),用于限定形成用于与半导体芯片(100)的端子相连的接触焊盘(22),其中所述接触焊盘(22)具有与所述光致抗蚀剂层(15)的预成形侧壁(18)相对应的另外侧壁(23,26),其中对所述光致抗蚀剂层(15)的侧壁(18)预成形,使得将所述开口(16)中所容纳的所述另外侧壁(23,26)形成为沿具有与相应侧壁(23,26)正交的分量的方向具有突出部;去除所述光致抗蚀剂层(15);提供所述半导体芯片(100),并且将所述半导体芯片(100)安装到所述基板(10)的第一侧面(S1)上,使得一个端子与所述接触焊盘(22)电连接;以及提供保护化合物(30),所述保护化合物覆盖所述基板(10)和所述半导体芯片(100),以及至少覆盖所述接触焊盘(22)的另外侧壁(23,26)中至少之一的突出部。
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