[发明专利]一种无荧光粉单芯片GaN基发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201110162767.0 | 申请日： | 2011-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN102231422A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 罗毅;王嘉星;汪莱;郝智彪 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王加岭;张庆敏 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种无荧光粉单芯片GaN基发光二极管，包括衬底材料，以及在衬底材料上依次外延生长的缓冲层、n型GaN体材料、有源区、p型AlGaN阻挡层及p型GaN接触层；其中，所述有源区由蓝光量子阱、绿光量子阱或量子点层、以及红光量子点层组成。本发明还涉及了上述无荧光粉单芯片GaN基发光二极管的制备方法。本发明所述发光二极管具有效率高、显色性好、色温稳定、成本低的优点，在通用照明和某些特殊照明领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 荧光粉 芯片 gan 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种无荧光粉单芯片GaN基发光二极管，其特征在于，包括衬底材料，以及在衬底材料上依次外延生长的缓冲层、n型GaN体材料、有源区、p型AlGaN阻挡层及p型GaN接触层；其中，所述有源区由蓝光量子阱、绿光量子阱或量子点层、以及红光量子点层组成。
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