[发明专利]包括多个MOS管的IC及其铝线的光刻方法、制备方法

摘要

本发明提供一种包括多个MOS管的IC（集成电路）及其铝线的光刻方法、制备方法，属于半导体制造技术领域。该IC的包括与所述多晶硅栅极引线在同一布线层上的铝线，所述铝线置于任意两条所述多晶硅栅极引线之间，所述铝线上设置用于铝线光刻构图的减反射层，所述减反射层是厚度范围基本为90埃至130埃的非晶硅薄膜。该IC的铝线的光刻方法及制备方法中选择减反射层为厚度范围为90埃至130埃的非晶硅薄膜。因此，可以避免曝光过程中多晶硅栅极引线对光线的影响，避免铝线上形成缺口，大大提高IC的良率及其可靠性。

主权项

一种包括多个MOS管的集成电路，所述MOS管包括多晶硅栅极引线，所述集成电路包括与所述多晶硅栅极引线在同一布线层上的铝线，所述铝线置于任意两条所述多晶硅栅极引线之间，其特征在于，所述铝线上设置用于铝线光刻构图的减反射层，所述减反射层是厚度范围基本为90埃至130埃的非晶硅薄膜。