[发明专利]一种长波长锑化物半导体激光器结构

摘要

本发明是一种长波长锑化物半导体激光器结构，属于半导体激光器新型材料的外延结构领域。本发明针对锑化物激随波长增加，功率、效率等变差的问题和缺点，提出一种长波长锑化物半导体激光器结构，该激光器结构能够减小因自由载流子吸收等引起的激光器功率和效率变差的问题。该激光器结构具有光模损耗小，空穴限制强，内损耗小，量子阱激光器结构效率高等特点，可以改善锑化物激光器的功率、效率等性能。

主权项

本发明是一种长波长锑化物半导体激光器结构，激光器结构包括：AlxGa1‑xSb下限制层3，采用Te进行掺杂，浓度为1×1019cm‑3‑3×1018cm‑3，生长1.2μm。采用变Al组分和分段‑渐变掺杂设计和生长，结合图1说明，由层3至层4方向，首先生长的0.7μm厚度，Al组分x由0.9变化为0.75。掺杂浓度由1×1019cm‑3变化为5×1018cm‑3。接下来生长的0.5μm厚度，Al组分x由0.75变化为0.45，掺杂浓度由5×1018cm‑3变化为3×1018cm‑3。AlxGa1‑xSb上限制层7，采用Be进行掺杂，浓度为3×1017cm‑3‑8×1018cm‑3，生长1.2μm。采用变Al组分和分段‑渐变掺杂设计和生长，结合图1说明，由层6至层7方向，首先生长的生长的0.5μm厚度，Al组分x由0.45变化为0.75。掺杂浓度由3×1017cm‑3变化为1×1018cm‑3。接下来0.7μm厚度，Al组分x由0.75变化为0.9，掺杂浓度由1×1018cm‑3变化为8×1018cm‑3。