[发明专利]一种LED结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201110085237.0 | 申请日： | 2011-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102185061A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 于彤军;吴超;付星星;陈志忠;康香宁;张国义 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED结构及其制备方法，属于光电器件领域。该LED结构包括n-GaN层、多量子阱层和p-GaN层，n-GaN层为出光面，本发明在非出光面的p-GaN层或与p-GaN层接触的透明电极表面上制备出周期性微纳结构。由于周期性微纳结构在非出光面p-GaN层表面或与p-GaN层接触的透明电极上可表现出独特的光学性质，可大幅改善LED器件的背向反射率；另外，通过改变微纳结构的参数(如结构单元形状、周期、孔径及孔洞深度等)还可实现对材料光学性质的调制，从而有效提高LED器件的出光效率；进一步，对实现金属反射层的工艺兼容性有帮助。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED结构，包括n‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层和p‑GaN层，该LED结构的出光面为n‑GaN层，其特征在于，在p‑GaN层或与p‑GaN层接触的透明电极表面上制备出周期性微纳结构。
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