[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110084201.0 | 申请日： | 2011-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102185053A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 李淼 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/04;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：衬底；依次位于衬底上的n型半导体层、有源层、p型半导体层、插入层以及电流扩散层；其中，插入层包括至少一层超晶格结构，所述超晶格结构由Inx1Aly1Ga1-x1-y1N层和Inx2Aly2Ga1-x2-y2N层组成，所述Inx2Aly2Ga1-x2-y2N层的In含量小于所述Inx1Aly1Ga1-x1-y1N层的In含量，由于超晶格结构对于载流子迁移存在一定的缓冲作用，同时载流子又可以有效的隧穿，因此会导致电流在电流扩散层与插入层的接触面和插入层内部重新分布，防止电流拥堵；而且，由于插入层本身存在一定的遂穿效应，因此不会导致正向电压的明显升高；同时，由于插入层在P型半导体层和电流扩散层之间对电流起到缓冲的效果，而增加了器件的ESD性能。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：衬底；依次位于所述衬底上的n型半导体层、有源层、p型半导体层、插入层以及电流扩散层；其中，所述插入层包括至少一层超晶格结构，所述超晶格结构由Inx1Aly1Ga1‑x1‑y1N层和Inx2Aly2Ga1‑x2‑y2N层组成，所述Inx2Aly2Ga1‑x2‑y2N层的In含量小于所述Inx1Aly1Ga1‑x1‑y1N层的In含量。
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