[发明专利]制备Mn掺杂InP：Zn基稀磁半导体的方法无效
| 申请号： | 201110057072.6 | 申请日： | 2011-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102108483A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 杨冠东;朱峰;李京波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/58;H01F1/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备InMnP:Zn稀磁半导体的方法，采用真空镀膜后热扩散工艺，具体包括以下步骤：步骤1：将一衬底在煮沸的浓盐酸中进行化学腐蚀清洗，然后用去离子水反复冲洗5遍；步骤2：将衬底用氮气吹干，然后迅速置于真空镀膜机，并使之处于真空环境；步骤3：使用真空镀膜机在衬底上蒸镀Mn薄膜；步骤4：将附有Mn薄膜的衬底置入高温真空管式炉，在真空环境中进行高温扩散；步骤5：使用稀盐酸腐蚀清洗衬底表面残余的Mn原子和其他杂质原子，完成器件的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 mn 掺杂 inp zn 基稀磁 半导体 方法 | ||
【主权项】：
一种制备InMnP:Zn稀磁半导体的方法，采用真空镀膜后热扩散工艺，具体包括以下步骤：步骤1：将一衬底在煮沸的浓盐酸中进行化学腐蚀清洗，然后用去离子水反复冲洗5遍；步骤2：将衬底用氮气吹干，然后迅速置于真空镀膜机，并使之处于真空环境；步骤3：使用真空镀膜机在衬底上蒸镀Mn薄膜；步骤4：将附有Mn薄膜的衬底置入高温真空管式炉，在真空环境中进行高温扩散；步骤5：使用稀盐酸腐蚀清洗衬底表面残余的Mn原子和其他杂质原子，完成器件的制作。
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