[发明专利]通过测量污染控制半导体制造的方法和装置无效
| 申请号： | 201080057455.7 | 申请日： | 2010-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102714135A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | A·法夫尔;J·布努阿尔 | 申请（专利权）人： | 阿迪克森真空产品公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于在半导体制造厂内处理衬底的装置，所述半导体制造厂具有衬底处理设备、衬底存储装置、衬底传送装置和用于控制在功能上与所述衬底处理设备、衬底存储装置以及衬底传送装置相关的制造执行系统（MES）的系统。所述装置包括：至少一个通过所述传送装置传送并存储在所述存储装置中的衬底存储和传送盒；至少一个用于分析形成所述衬底存储和传送盒的内部气氛的气体的装置，所述分析装置产生表示所述存储和传送盒中能够产生分子污染的临界气体的量的分析信号；以及控制所述传送装置和存储装置的控制装置，所述控制装置包括用于基于所述气体分析装置所发射的分析信号检测分子净化需要的指令。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 测量 污染 控制 半导体 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种用于在半导体制造厂内处理衬底的装置，所述半导体制造厂具有衬底处理设备、衬底存储装置、衬底传送装置和在功能上与所述衬底处理设备、所述衬底存储装置以及所述衬底传送装置相关的制造执行系统，包括：‑至少一个通过所述传送装置传送并存储在所述存储装置中的衬底存储和传送盒，‑至少一个用于分析形成所述衬底存储和传送盒的内部气氛的气体的装置，所述装置产生表示所述存储和传送盒中存在的可能产生分子污染的临界气体的量的分析信号，‑控制所述传送装置和所述存储装置的执行装置，其中所述执行装置包括用于根据所述气体分析装置所发射的分析信号来检测分子净化需要的指令。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
