[发明专利]供体基板、图案化方法和器件的制造方法无效
| 申请号： | 201080052642.6 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102668704A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 藤森茂雄;谷村宁昭;西村诚一郎 | 申请（专利权）人： | 东丽株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 党晓林;王小东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种供体基板，该供体基板包括支撑体、形成于所述支撑体上的光热转换层和抗转印层、以及形成于所述光热转换层和所述抗转印层的上表面的转印材料层，其中，转印区域和非转印区域是通过所述光热转换层和所述抗转印层的组合而形成的，所述转印材料层形成于所述转印区域的整个表面和所述非转印区域的至少一部分上。本发明提供一种图案化方法和器件的制造方法，该图案化方法不会使构成有机EL元件等器件的薄膜的特性劣化，并且能够以大型且高精度来进行低成本的微细图案化。 | ||
| 搜索关键词： | 供体 图案 方法 器件 制造 | ||
【主权项】：
一种供体基板，该供体基板包括：支撑体；形成于所述支撑体上的光热转换层和抗转印层；以及形成于所述光热转换层和所述抗转印层的上表面的转印材料层，其中，转印区域和非转印区域是通过所述光热转换层和所述抗转印层的组合而形成的，所述转印材料层形成于所述转印区域的整个表面和所述非转印区域的至少一部分上。
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