[发明专利]供体基板、图案化方法和器件的制造方法

权利要求书

1.一种供体基板，该供体基板包括：支撑体；形成于所述支撑体上的光热转换层和抗转印层；以及形成于所述光热转换层和所述抗转印层的上表面的转印材料层，其中，转印区域和非转印区域是通过所述光热转换层和所述抗转印层的组合而形成的，所述转印材料层形成于所述转印区域的整个表面和所述非转印区域的至少一部分上。

2.如权利要求1所述的供体基板，其中，所述转印材料层大致整面地形成于所述光热转换层和所述抗转印层的上表面。

3.如权利要求1或2所述的供体基板，其中，非转印区域的厚度为转印区域的厚度的5倍以上。

4.如权利要求1～3任一项所述的供体基板，其中，所述光热转换层大致整面地形成于所述支撑体上，在所述光热转换层上图案化地形成有所述抗转印层，所述抗转印层的形成部作为抗转印区域而发挥功能，所述抗转印层的非形成部作为转印区域而发挥功能。

5.如权利要求1～3任一项所述的供体基板，其中，在所述支撑体上图案化地形成所述抗转印层，光热转换层形成于包括所述抗转印层上表面的大致整个表面，形成有所述抗转印层的部分为非转印区域，未形成所述抗转印层的部分为转印区域。

6.如权利要求1～5任一项所述的供体基板，其中，与转印材料层相接触的部分由无机物构成。

7.如权利要求1～6任一项所述的供体基板，其中，转印材料层是利用干法而形成的。

8.一种图案化方法，其将权利要求1～7任一项所述的供体基板与器件基板相对配置，并且由供体基板的支撑体侧照射光而使转印区域的至少一部分和非转印区域的至少一部分同时被加热，从而仅将转印材料层中的转印区域部分转印至器件基板。

9.如权利要求8所述的图案化方法，其中，向光热转换层照射比转印区域的宽度宽的光。

10.如权利要求8或9所述的图案化方法，其中，通过分成多次来照射光，从而在膜厚方向上分多次对转印材料层进行转印。

11.一种器件的制造方法，其中，利用权利要求8～10的任一项所述的方法，对构成器件的层的至少一层进行图案化。

12.如权利要求11所述的器件的制造方法，其中，器件为有机EL元件，图案化的层为发光层。