[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201080047136.8 | 申请日： | 2010-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102576690A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 川崎利昭;县泰宏;白滨政则;甲上岁浩;荒井胜也 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/82;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置。电熔丝电路(3)具有在程序电源(6)与地线(7)之间串联连接地设置的熔丝元件(11)及晶体管(12)、和控制晶体管(12)的栅极电位的控制部(13、14)。程序防止电路(5)在程序电源(6)与地线(7)之间与电熔丝电路(3)并联地设置，并且当在程序电源(6)与地线(7)之间施加浪涌时按照流动浪涌电流的一部分的方式构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具备：电熔丝电路，其具有：在程序电源与地线之间串联连接地设置的熔丝元件及晶体管、和控制所述晶体管的栅极电位的控制部；和程序防止电路，其在所述程序电源与所述地线之间与所述电熔丝电路并联地设置，并且当在所述程序电源与所述地线之间施加了浪涌时按照流动浪涌电流的一部分的方式构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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