[发明专利]化合物半导体型太阳能电池用基板有效
| 申请号： | 201080025477.5 | 申请日： | 2010-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102460720A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 冈村浩;山野博文;松原政信;西山茂嘉 | 申请（专利权）人： | 东洋钢钣株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种化合物半导体型太阳能电池用基板，其即便在形成薄膜时经过高温工序之后，依然能够维持良好的弹性。化合物半导体型太阳能电池用基板由钢板构成，在太阳能电池层的积层面一侧上具有被膜量为300～8000mg/m2的Cr层。而且，在太阳能电池层的积层面一侧上具有被膜量为500～3000mg/m2的Cr层，太阳能电池层的制膜温度不足550℃。而且，在太阳能电池层的积层面一侧上具有被膜量为2000～8000mg/m2的Cr层，太阳能电池层的制膜温度超过800℃。此外，在太阳能电池层的积层面一侧上具有被膜量为2000～5000mg/m2的Cr层，太阳能电池层的制膜温度大于等于550℃且小于等于800℃。进而，钢带中的Mn成分小于等于2wt％，Fe成分小于等于98wt％。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 太阳能电池 用基板 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体型太阳能电池用基板，其由钢板构成，在太阳能电池层的积层面一侧上，具有被膜量为300～8000mg/m2的Cr层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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