[发明专利]废气处理装置及废气处理方法无效
| 申请号： | 201080020827.9 | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102421509A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 佐村健;大内太;朝野刚;冈部隆志 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石能源株式会社 |
| 主分类号： | B01D53/46 | 分类号： | B01D53/46;C01B3/56;C01B33/04;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 经志强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 处理从半导体制造装置20排出的混合气体的废气处理装置10具备：使混合气体通过，吸附混合气体所含的多种气体中主要需要除害的单硅烷气体，由此分离单硅烷气体和无需除害的氢气的吸附分离部40；使吸附于吸附分离部40的单硅烷脱离的加热机构；对从吸附分离部40脱离的单硅烷气体进行除害的硅烷气体除害部50；将通过吸附分离部40从混合气体中分离的氢气排出的氢气排气部60。 | ||
| 搜索关键词： | 废气 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种废气处理装置，所述废气处理装置处理从半导体制造装置排出的混合气体，其特征在于，具备：吸附分离部，使所述混合气体通过，吸附所述混合气体中包含的多种气体中主要需要除害的第1气体，由此分离该第1气体和无需除害的第2气体，脱离机构，使吸附于所述吸附分离部的所述第1气体脱离，第1气体处理部，处理从所述吸附分离部脱离的所述第1气体，第2气体处理部，处理通过所述吸附分离部而从混合气体中分离的所述第2气体。
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