[实用新型]晶圆凸块结构有效
| 申请号： | 201020192404.2 | 申请日： | 2010-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN201681828U | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 朱贵武;璩泽明 | 申请（专利权）人： | 茂邦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/60 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 何为 |
| 地址： | 中国台湾桃园县芦*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种晶圆凸块结构，包括晶圆状态半导体芯片、前处理层、第一化镀保护层及数个柱状凸块；该半导体芯片包括芯片垫及设开孔的保护层，该前处理层堆栈于半导体芯片的芯片垫的外露表面上；该第一化镀保护层堆栈于该前处理层上、该保护层的开孔侧壁及该保护层于该开孔外部的表面上；所述柱状凸块堆栈于该第一化镀保护层上及该保护层部分表面上，各柱状凸块由可视需求高度成形的导电金属层、及与该导电金属层外周缘呈紧密结合状包覆的第二化镀保护层所组成，以利于增加后续与相对应的组件连结的焊锡性的同时更能有效降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆凸块 结构 | ||
【主权项】：
一种晶圆凸块结构，包括晶圆状态半导体芯片及数个柱状凸块，该半导体芯片的表面具有数个芯片垫，且于该表面及该芯片垫上具有保护层，该保护层具有对应各芯片垫的开孔，以显露该芯片垫的部分表面；其特征在于：还包括前处理层及第一化镀保护层，该前处理层堆栈于该芯片垫的外露表面上；该第一化镀保护层堆栈于该前处理层上、该保护层的开孔侧壁及该保护层于该开孔外部的表面上；所述柱状凸块堆栈于该第一化镀保护层上及该保护层部分表面上，其中，每一柱状凸块由可视需求高度成形的导电金属层、及与该导电金属层外周缘呈紧密结合状包覆的第二化镀保护层所组成。
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