[发明专利]刻蚀液补给装置、补给方法和具该装置的湿法刻蚀设备无效
申请号: | 201010623141.0 | 申请日: | 2010-12-23 |
公开(公告)号: | CN102569015A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 马晓光;何悦;叶俊;黄治国 | 申请(专利权)人: | 无锡尚德太阳能电力有限公司;尚德太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/66 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李湘;高为 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及刻蚀液补给装置、补给方法和包括该补给装置的湿法刻蚀设备。本发明的刻蚀液补给装置包括与刻蚀槽连通的进液管和出液管、经进液管和出液管与刻蚀槽连通的储液槽、向储液槽补给所述刻蚀液各组分的备用溶液的补液单元及浓度检测单元和处理单元,浓度检测单元检测储液槽、刻蚀槽和进液管和出液管中至少一个的各组分的浓度,处理单元依据浓度检测结果、刻蚀液中各组分的目标浓度范围、储液槽内刻蚀液的体积及各组分备用溶液的浓度计算出需向储液槽中补给的各组分的备用溶液的体积,补液单元根据计算结果向储液槽补充各组分的备用溶液以将各组分的浓度调整到目标浓度范围内。本发明可有效确保刻蚀液各组分浓度的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 补给 装置 方法 湿法 设备 | ||
【主权项】:
一种刻蚀液补给装置,用于向湿法刻蚀设备的刻蚀槽补充刻蚀液,包括:与刻蚀槽连通的进液管和出液管;储液槽,其经所述进液管和出液管与刻蚀槽连通以形成供刻蚀液循环流动的回路;补液单元,其用于向所述储液槽补给所述刻蚀液各组分的备用溶液;其特征在于,还包含浓度检测单元和处理单元,所述浓度检测单元用于检测所述储液槽、所述刻蚀槽和所述进液管和出液管中至少一个的各组分的浓度并将检测结果发送至所述处理单元,所述处理单元依据所述检测结果、刻蚀液中各组分的目标浓度范围、储液槽内刻蚀液的体积及各组分备用溶液的浓度计算出需向储液槽中补给的各组分的备用溶液的体积,所述补液单元根据所述计算结果向所述储液槽补充各组分的备用溶液以将所述储液槽内的刻蚀液的各组分的浓度调整到目标浓度范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造