[发明专利]一种控制MOS器件VT的注入方法无效
| 申请号： | 201010610056.0 | 申请日： | 2010-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102543742A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种控制MOS器件VT的注入方法，该方法以不同的掺杂能量在有源区中进行一次以上的掺杂，在栅极下方的衬底中，分别形成不同深度位置的第一掺杂层和第二掺杂层，可以在降低DIBL效应的同时改善MOS器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 mos 器件 vt 注入 方法 | ||
【主权项】：
一种控制MOS器件VT的注入方法，提供具有衬底的晶片，由所述衬底中制作完成的浅沟槽隔离在所述衬底中定义出有源区，其特征在于，该方法包括：光刻后以露出栅极窗口的光刻图案为掩膜，对所述有源区分别进行第一掺杂和第二掺杂，其中一次掺杂的剂量与能量均小于另一次掺杂的剂量与能量，在有源区的不同深度位置形成第一掺杂层和第二掺杂层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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