[发明专利]自对准金属硅化物的形成方法有效
| 申请号： | 201010599252.2 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102569048A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 罗军;赵超;钟汇才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种自对准金属硅化物的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅堆叠结构，所述栅堆叠结构两侧的半导体衬底中形成有源区和漏区；在所述半导体衬底上、所述栅堆叠结构的侧壁形成牺牲侧墙；形成金属层，覆盖所述半导体衬底、栅堆叠结构和牺牲侧墙的表面；对所述半导体衬底进行热处理，使所述金属层与所述源区、漏区的半导体衬底以及牺牲侧墙之间发生反应；去除所述牺牲侧墙和未反应的金属层。本发明能够减弱或避免自对准金属硅化物的横向扩散问题，有利于提高器件的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 金属硅 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅堆叠结构，所述栅堆叠结构两侧的半导体衬底中形成有源区和漏区；在所述半导体衬底上、所述栅堆叠结构的侧壁形成牺牲侧墙；形成金属层，覆盖所述半导体衬底、栅堆叠结构和牺牲侧墙的表面；对所述半导体衬底进行热处理，使所述金属层与所述源区、漏区的半导体衬底以及牺牲侧墙之间发生反应；去除所述牺牲侧墙和未反应的金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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