[发明专利]阵列基板及其制造方法和检测方法、液晶面板有效
| 申请号： | 201010579427.3 | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102487042A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 秦纬 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/02;H01L23/544;G01R31/00;G02F1/1362;G02F1/13 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 华泽珍 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板的制造方法和检测方法、液晶面板。本发明提供一种阵列基板的制造方法，至少包括在像素区域形成TFT图案并对应地在测试区域形成TFT测试图案的步骤，在形成像素区域的TFT沟道之后且在形成钝化层之前，还包括：去除所述TFT测试图案中栅线引线或源漏极上方的栅绝缘层薄膜的步骤。本发明还公开了一种阵列基板的检测方法，所述方法在形成TFT测试沟道且去除测试区域的TFT测试图案中栅线引线或者源漏极上方的栅绝缘层薄膜之后，对所述TFT测试图案的电特性进行检测处理。本发明可以及时检查获知像素区域的TFT图案的电特性，从而及时进行生产线工艺与设备的调整。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制造 方法 检测 液晶面板 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制造方法，至少包括在像素区域形成TFT图案并对应地在测试区域形成TFT测试图案的步骤，其特征在于，在形成钝化层之前，还包括：去除所述TFT测试图案中测试线引线上方的栅绝缘层薄膜的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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