[发明专利]阵列基板及其制造方法和检测方法、液晶面板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法和检测方法、液晶面板。

背景技术

液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。

在TFT-LCD的生产过程中，对TFT图案的电特性进行检查是较为重要的步骤。现有技术通常在形成衬底基板像素区域的TFT的同时，在衬底基板的边缘区域，也即测试区域同时形成专用于测试的TFT测试图案。该TFT测试图案的图案尺寸、膜层结构以及工艺流程与像素区域的TFT完全一致。因此，通过对测试区域的TFT测试图案进行检查，即可获知像素区域的TFT电特性是否合格。对TFT图案的电特性进行检查的原理为：改变TFT测试图案的栅线引线的电压，测试TFT测试图案的源漏极的电流变化，获取TFT测试图案的电特性曲线，根据该电特性曲线判断TFT测试图案在打开与关断时的电特性是否正常，从而判断像素区域的TFT图案的电特性是否合格。

现有技术对TFT图案的电特性进行检查的时机是在阵列基板的制造工艺完成之后，即在衬底基板上形成像素电极之后。通过在TFT测试图案的栅线引线上方开设的过孔，插入测试探针与底层的栅线引线接触，从而检查像素区域的TFT图案的电特性。但是阵列基板的制造周期通常为3～5天，因此，现有技术进行电特性检查具有时间滞后性，因此无法及时检查获知像素区域的TFT图案的电特性，从而无法及时进行生产线工艺与设备的调整。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制造方法和检测方法、液晶面板，以解决无法及时检查获知像素区域的TFT图案的电特性的问题。

本发明提供一种阵列基板的制造方法，至少包括在像素区域形成TFT图案并对应地在测试区域形成TFT测试图案的步骤，在形成钝化层之前，还包括：去除所述TFT测试图案中测试线引线上方的栅绝缘层薄膜的步骤。

本发明提供一种阵列基板，包括像素区域和测试区域，其特征在于，所述测试区域的测试线引线的上方与钝化层接触。

本发明提供一种液晶面板，包括对盒设置的彩膜基板和阵列基板，其间填充有液晶层，其特征在于，所述阵列基板采用上述阵列基板的结构。

本发明提供一种阵列基板的检测方法，所述方法在形成TFT测试沟道且去除测试区域的TFT测试图案中测试线引线上方的栅绝缘层薄膜之后，对所述TFT测试图案的电特性进行检测处理。

本发明提供的阵列基板及其制造方法和检测方法、液晶面板，在形成TFT沟道的图案后，即可对测试区域的TFT测试图案的电特性进行检测，而无需等到整个阵列基板的制造过程完成后再进行检测，因此，本发明可以及时获知像素区域的TFT图案的电特性，从而及时对生产线进行工艺与设备的调整。

附图说明

图1为本发明阵列基板的制造方法实施例的流程图；

图2为本发明实施例提供的阵列基板的制造方法中第一次光刻工艺后的TFT测试图案的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的阵列基板的制造方法中在形成栅金属薄膜后沿图2中A-A向的剖面结构示意图；

图4为本发明实施例提供的阵列基板的制造方法中在形成栅金属薄膜后沿图2中B-B向的剖面结构示意图；

图5为本发明实施例提供的阵列基板的制造方法中对涂覆在栅金属薄膜上的光刻胶进行曝光显影后沿图2中A-A向的剖面结构示意图；

图6为本发明实施例提供的阵列基板的制造方法中对涂覆在栅金属薄膜上的光刻胶进行曝光显影后沿图2中B-B向的剖面结构示意图；

图7为本发明实施例提供的阵列基板的制造方法中对图5所示的图案进行刻蚀后的剖面结构示意图；

图8为本发明实施例提供的阵列基板的制造方法中对图6所示的图案进行刻蚀后的剖面结构示意图；

图9为本发明实施例提供的阵列基板的制造方法中对图7所示的图案进行光刻胶灰化后的剖面结构示意图；

图10为本发明实施例提供的阵列基板的制造方法中对图8所示的图案进行光刻胶灰化后的剖面结构示意图；

图11为本发明实施例提供的阵列基板的制造方法中在形成栅绝缘层薄膜、半导体层薄膜、掺杂半导体层薄膜和源漏金属薄膜后沿图2中A-A向的剖面结构示意图；

图12为本发明实施例提供的阵列基板的制造方法中在形成栅绝缘层薄膜、半导体层薄膜、掺杂半导体层薄膜和源漏金属薄膜后沿图2中B-B向的剖面结构示意图；