[发明专利]相变存储器器件无效
| 申请号： | 201010505747.4 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102034928A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 林炫锡;姜信在;林泰洙;李钟喆;崔在亨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 刘光明;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种相变存储器器件，包括：下电极、电连接到所述下电极的相变材料图案以及电连接到所述相变材料图案的上电极。所述下电极可以包括：第一结构，所述第一结构包括金属半导体化合物；在所述第一结构上的第二结构，所述第二结构包括金属氮化物材料，并且包括具有比上部更大的宽度的下部；以及第三结构，所述第三结构包括含元素X的金属氮化物材料，所述第三结构位于所述第二结构上，所述元素X包括选自硅、硼、铝、氧和碳的组中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 器件 | ||
【主权项】：
一种相变存储器器件，包括：下电极；相变材料图案，所述相变材料图案电连接到所述下电极；以及上电极，所述上电极电连接到所述相变材料图案，其中，所述下电极包括：第一结构，所述第一结构包括金属半导体化合物；在所述第一结构上的第二结构，所述第二结构包括金属氮化物材料，以及包括具有比上部更大的宽度的下部；以及，第三结构，所述第三结构包括含元素X的金属氮化物材料，所述第三结构位于所述第二结构上，所述元素X包括选自硅、硼、铝、氧和碳的组中的至少一个。
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