[发明专利]等离子刻蚀方法及其装置、扩散阻挡层的等离子刻蚀方法有效
| 申请号： | 201010292452.3 | 申请日： | 2010-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102412144A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相;何伟业;孔祥涛;陈碧钦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/768;H01J37/32;H05H1/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种等离子刻蚀方法及其装置，以及应用上述装置对扩散阻挡层进行等离子刻蚀的具体方法，其中所述等离子刻蚀方法包括：在刻蚀腔体内的设置同心圆的外电极圈以及内电极圈；将待刻蚀的半导体晶圆置于所述外电极圈以及内电极圈的底部，且半导体晶圆的中心与所述外电极圈、内电极圈的圆心重合；向刻蚀腔体通入刻蚀气体；向外电极圈以及内电极圈通入电流，且使得所述外电极圈以及内电极圈的电流方向相反。本发明使得半导体晶圆表面的等离子气体分布均匀、各处刻蚀速率一致，改善半导体晶圆上各处扩散阻挡层的厚度一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 刻蚀 方法 及其 装置 扩散 阻挡 | ||
【主权项】：
一种等离子刻蚀方法，其特征在于，包括：在刻蚀腔体内设置同心圆的外电极圈以及内电极圈；将待刻蚀的半导体晶圆置于所述外电极圈以及内电极圈的底部，且半导体晶圆的中心与所述外电极圈、内电极圈的圆心重合；向刻蚀腔体通入刻蚀气体；向外电极圈以及内电极圈通入电流，且使得所述外电极圈以及内电极圈的电流方向相反。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
