[发明专利]TEM样品制造方法无效
| 申请号： | 201010285810.8 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102401758A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 段淑卿;芮志贤;李剑;于会生;王玉科 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/44 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TEM样品制造方法，所述方法包括：通过聚焦离子束切割晶圆得到TEM样品薄片，加热所述TEM样品薄片制成适合观测的TEM样品。本发明通过加热聚焦离子束切割得到的TEM样品薄片，从而将TEM样品薄片两侧的非晶态部分重新结晶为晶态，使得通过透射电镜观测制得的透射电镜样品能够看到有序的、可反映样品材料晶相的图像。 | ||
| 搜索关键词： | tem 样品 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TEM样品制造方法，包括：利用聚焦离子束切割晶圆得到TEM样品薄片；加热所述TEM样品薄片制成TEM样品。
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