[发明专利]一种真空填孔技术无效
申请号: | 201010281567.2 | 申请日: | 2010-09-15 |
公开(公告)号: | CN102403262A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 涂嘉晋;李应煌 | 申请(专利权)人: | 涂嘉晋;李应煌 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 龚燮英 |
地址: | 中国台湾台北县板桥市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种真空填孔技术,它涉及一种晶圆填孔技术。它的工艺流程为:1)将充满纳米金属液体,倒在晶圆表面,以晶圆旋转方式,使得纳米金属液体漫布在晶圆表面;2)在晶圆背面以覆盖一层滤网,利用真空方式将纳米金属液体经由贯孔吸出液体,而将纳米金属留在贯孔中;3)移除滤网,清除表面残留纳米金属;4)将整个晶圆,以真空将剩余液体升华,另一方面以高温,纳米金属则融化并固化。它无须以电镀方式进行加工,可依降低对环境的冲击,且投资成本大幅降低;挤压法无法处里的不连续见面和气孔,真空填孔技术可以轻易解决;真空填孔技术完全以物理特性方式进行加工,无化学反应中隐含的不稳定因素。 | ||
搜索关键词: | 一种 真空 技术 | ||
【主权项】:
一种真空填孔技术,其特征在于它的工艺流程为:1)将充满纳米金属液体,倒在晶圆表面,以晶圆旋转方式,使得纳米金属液体漫布在晶圆表面;2)在晶圆背面以覆盖一层滤网,利用真空方式将纳米金属液体经由贯孔吸出液体,而将纳米金属留在贯孔中;3)移除滤网,清除表面残留纳米金属;4)将整个晶圆,以真空将剩余液体升华,另一方面以高温,纳米金属则融化并固化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造