[发明专利]一种真空填孔技术

说明书

技术领域：

本发明涉及一种晶圆填孔技术，尤其涉及一种真空填孔技术。

背景技术：

终端产品的发展趋势和规格需求，始终是组件技术发展的驱动力。若以三大信息产品类别——信息、通讯和消费性产品的发展以及其对组件的主要需求来看，始终仍不脱离小型化、高速/高效能、低成本、高容量、同/异质性整合等几个构面区追求。在整个WLCSP或者是3D IC成本中，填充孔洞占总成本41％，是非常重要的一环。

TSV即是将晶圆穿孔(镭射贯孔或蚀刻)后，将电子回路经由此孔由晶圆表面贯穿至晶圆背后，以达到使用晶圆背面制作回路的目的，并达到WLCSP的目的。

目前的填孔技术主要有挤压法和电镀法：挤压法是将充满纳米金属的导电金属胶以涂布挤压的方式，将银胶挤入孔中，形成导通状况。其无法解决的问题是在挤压(数次)的过程中无法避免气泡或孔中银胶不连续链接的问题；电镀法是先行以Sputter电镀或Plasma电浆方式将导电物质打入孔中，在利用电镀electroplate方式将导电金属镀入孔中；难度非常高，有时会破坏晶圆，亦有不均匀的状况产生，成本及设备非常高，有污染性。

发明内容：

本发明的目的是提供一种真空填孔技术，它无须以电镀方式进行加工，可依降低对环境的冲击，且投资成本大幅降低；挤压法无法处里的不连续见面和气孔，真空填孔技术可以轻易解决；真空填孔技术完全以物理特性方式进行加工，无化学反应中隐含的不稳定因素。

为了解决背景技术所存在的问题，本发明是采用以下技术方案：它的工艺流程为：1)将充满纳米金属液体，倒在晶圆表面，以晶圆旋转方式，使得纳米金属液体漫布在晶圆表面；2)在晶圆背面以覆盖一层滤网，利用真空方式将纳米金属液体经由贯孔吸出液体，而将纳米金属留在贯孔中；3)移除滤网，清除表面残留纳米金属；4)将整个晶圆，以真空将剩余液体升华，另一方面以高温，纳米金属则融化并固化。

本发明的优点是：它无须以电镀方式进行加工，可依降低对环境的冲击，且投资成本大幅降低；挤压法无法处里的不连续见面和气孔，真空填孔技术可以轻易解决；真空填孔技术完全以物理特性方式进行加工，无化学反应中隐含的不稳定因素。

具体实施方式：

本具体实施方式采用以下技术方案：它的工艺流程为：1)将充满纳米金属液体，倒在晶圆表面，以晶圆旋转方式，使得纳米金属液体漫布在晶圆表面；2)在晶圆背面以覆盖一层滤网，利用真空方式将纳米金属液体经由贯孔吸出液体，而将纳米金属留在贯孔中；3)移除滤网，清除表面残留纳米金属；4)将整个晶圆，以真空将剩余液体升华，另一方面以高温，纳米金属则融化并固化。

本具体实施方式的优点是：它无须以电镀方式进行加工，可依降低对环境的冲击，且投资成本大幅降低；挤压法无法处里的不连续见面和气孔，真空填孔技术可以轻易解决；真空填孔技术完全以物理特性方式进行加工，无化学反应中隐含的不稳定因素。