[发明专利]集成式发光二极管列阵芯片及其制造方法

摘要

本发明涉及一种基于氮化镓基发光二极管的集成式发光二极管列阵芯片的制备方法。将9颗或12颗发光二极管单元，以矩阵方式排列，组成3乘3或3乘4矩阵，集成于一颗芯片内。在集成芯片内，通过蚀刻技术蚀刻到绝缘的蓝宝石衬底层将各单元之间的氮化镓层完全断开；使用绝缘物质填充各单元之间的空隙，并覆盖整个芯片；在绝缘层上打开各单元的电极接口，使用金属蒸镀的方式在各单元之间连接，将整个芯片内的各单元以串连形式组成电路，并在芯片两端做出P、N打线盘接口，用于封装时接入其他电路。使用以上方式制备的集成式芯片具备发光强度高、光电转换效率高、利于封装、利于驱动电路设计等优点。主要应用方向为照明领域。

主权项

集成式发光二极管列阵芯片，其特征在于，其结构自下而上依次为：衬底和发光结构；其中，发光结构的数目为4、9、12、16或25个，各发光结构共用所述衬底，各发光结构之间具有沟槽，沟槽填充有透明绝缘物质，在透明绝缘物质上铺设金属导线将每个发光结构连接组成串联、并联或者桥式整流连接；所述沟槽宽为10～20um，深度为3～5um；所述发光结构由非掺杂氮化镓、N型氮化镓、量子阱、P型氮化镓、ITO电流扩展层、SiO2保护层和金属电极组成。