[发明专利]化合物半导体基肖特基二极管作为开关的相变存储器及方法

摘要

本发明涉及一种非硅基的肖特基二极管作为开关的相变存储器及方法，其特征在于所述的存储单元由一个基于化合物(如III-V族半导体GaAs)的肖特基二极管(SBD)和一个可逆相变电阻构成，该SBD具有50ns以下的开关速度，能提供1μA-5mA的电流，耐压能力达到10V以上，此外，SBD具有很强的抗辐照能力，基于结构变化的相变材料，在辐照情况下其阻值不会发生变化，从而实现了高速、低功耗、能提供大电流、耐压好、抗辐照的相变存储单元，由该相变存储单元构成存储阵列，加上SOI衬底上的外围电路，从而形成高速、抗辐照等性能优异的相变存储芯片。不同于目前基于半导体p-n结作为开关的相变存储器件的结构。

主权项

一种化合物半导体基肖特基二极管作为开关的相变存储器存储单元，其特征在于：(a)所述的存储单元由一个基于化合物半导体的肖特基二极管SBD和一个可逆相变电阻构成，可逆相变电阻作为信息存储介质，SBD作为开关；(b)所述的存储单元中的SBD和可逆相变电阻呈纵向排列，SBD在下可逆相变电阻在上。