[发明专利]氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法无效
| 申请号： | 201010251508.0 | 申请日： | 2010-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101937957A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 郭恩卿;刘志强;汪炼成;伊晓燕;王莉;王国宏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片，将该具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上的外延层的四周刻蚀，形成台面，该台面是LED的发光区域；步骤2：在台面上及外延层的四周，并覆盖部分外延层四周的上表面制作绝缘薄膜；步骤3：在绝缘薄膜上及覆盖外延层的上表面制作P电极；步骤4：然后用键合或电镀的方式，在P电极的上表面制作转移衬底；步骤5：采用激光剥离去除外延片中的蓝宝石衬底；步骤6：在去除衬底后的外延层的表面制作N电极，完成氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 垂直 结构 发光二极管 电极 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片，将该具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上的外延层的四周刻蚀，形成台面，该台面是LED的发光区域；步骤2：在台面上的外延层的四周制作侧壁绝缘薄膜，在外延层的部分上表面区域制作电极绝缘薄膜；步骤3：在台面的整个上表面制作P电极，该P电极覆盖电极绝缘薄膜、侧壁绝缘薄膜和外延层的上表面；步骤4：然后用键合或电镀的方式，在P电极的上表面制作转移衬底；步骤5：采用激光剥离去除外延片的蓝宝石衬底；步骤6：在去除衬底后的外延层的部分表面区域制作N电极，该部分表面区域是电极绝缘薄膜的正上方，完成氮化镓基垂直结构发光二极管芯片隔离的制作。
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