[发明专利]一种肖特基二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201010235701.5 | 申请日： | 2010-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101916723A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;吴亚贞 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基二极管的制备方法，该方法利用未加射频偏压的IMP溅镀法生长钛金属层，用传统PVD溅镀法生长氮化钛金属层，从而降低了电镀金属对肖特基接触表面造成金属损伤，提高了肖特基二极管的表面态质量，降低了肖特基二极管的反向漏电流，并进一步降低了肖特基二极管的能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上生长外延层；在所述外延层上淀积阻隔氧化层；涂光刻胶、曝光、显影并进行光刻；刻蚀；去除光刻胶；用未加射频偏压的IMP溅镀法生长钛金属层，用传统PVD溅镀法生长氮化钛金属层；以及退火。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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