[发明专利]一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法有效
| 申请号： | 201010233999.6 | 申请日： | 2010-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102338846A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 赵妙;王鑫华;刘新宇;郑英奎;李艳奎;欧阳思华;魏珂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法，属于半导体器件技术领域。所述方法：搭建用于测量GaN基HEMT器件低频噪声的测试平台；利用测试平台测量GaN基HEMT器件的低频噪声曲线；对低频噪声曲线进行分析，获得表征GaN基HEMT器件的低频噪声特性参数。本发明通过搭建用于GaN基HEMT器件低频噪声测试的测试平台，对器件的低频噪声特性进行相应的测量，结合已有的低频噪声模型，通过一系列的拟和分析，获得器件的低频噪声特征参数，实现对器件可靠性的评价。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 器件 可靠性 评估 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法，其特征在于，所述方法包括：步骤10：搭建用于测量GaN基HEMT器件低频噪声的测试平台；步骤20：利用所述测试平台测量GaN基HEMT器件的低频噪声曲线；步骤30：对所述低频噪声曲线进行分析，获得表征GaN基HEMT器件的低频噪声特性参数。
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