[发明专利]一种光刻套准标记的保护装置及金属溅射工艺方法有效
| 申请号： | 201010227314.7 | 申请日： | 2010-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102315141A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/203 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻套准标记的保护装置，该装置包括多个固定晶片的压块，每个压块具有一个外伸至晶片上部的挡条，用以遮挡晶片上的光刻套准标记。本发明还提供了使用该光刻套准标记的保护装置进行金属溅射的工艺方法包括：在与压块固定的晶片平行的平面上，旋转压块上外伸的挡条，使挡条遮挡住晶片上前层工艺留下的光刻套准标记；对晶片进行金属溅射操作，在晶片上挡条遮挡区域之外的区域溅射金属层。本发明在固定晶片的压块上设置一个外伸至晶片上部的挡条，该挡条能够在金属溅射工艺过程中遮挡住晶片上的光刻套准标记，使得光刻套准标记的形貌清晰，在后续光刻工序中，能够准确地对准，保证了光刻工序的正常进行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 标记 保护装置 金属 溅射 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻套准标记的保护装置，包括多个固定晶片的压块(102)，其特征在于，所述压块(102)具有一个外伸至晶片(101)上部的挡条(1021)，用以遮挡晶片(101)上的光刻套准标记。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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