[发明专利]使用低K电介质的集成电路系统及其制造方法有效
| 申请号： | 201010205666.2 | 申请日： | 2010-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101924063A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | D·K·孙;W·刘;F·张;J·B·谭;J·H·李;B·C·张;L·杜;W·刘;Y·K·林 | 申请（专利权）人： | 新加坡格罗方德半导体制造私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;靳强 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明公开一种使用低K电介质的集成电路系统及其制造方法，该方法包含：制造具有集成电路的基板；在所述集成电路上提供低K电介质层；在所述集成电路上所述低K电介质层中形成通孔与沟槽；通过化学机械平坦化工艺形成结构表面；以及提供直接注入物至所述结构表面，用于形成注入物层以及金属钝化层，包含修复由所述化学机械平坦化工艺造成对所述低K电介质层的破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 电介质 集成电路 系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造集成电路系统的方法，该方法包括：制造具有集成电路的基板；在所述集成电路上提供低K电介质层；在所述集成电路上的所述低K电介质层中形成通孔与沟槽；通过化学机械平坦化工艺形成结构表面；以及提供直接注入物至所述结构表面，用于形成注入物层以及金属钝化层，包含修复由所述化学机械平坦化工艺造成对所述低K电介质层的破坏。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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