[发明专利]硅基电容麦克风的制作方法无效
| 申请号： | 201010173256.4 | 申请日： | 2010-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN101835085A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 葛舟;颜毅林;孟珍奎;杨斌;张睿 | 申请（专利权）人： | 瑞声声学科技(深圳)有限公司;瑞声微电子科技(常州)有限公司 |
| 主分类号： | H04R31/00 | 分类号： | H04R31/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅基电容麦克风的制作方法，该方法包括如下步骤：步骤A：提供一个硅基底，硅基底上设置氧化物绝缘层；步骤B：氧化物绝缘层上设置应力平衡层；步骤C：应力平衡层上设置多晶硅层，进行掺杂，形成掺杂后的掺杂层，作为电容的一个电极板；步骤D：在掺杂层上沉积牺牲层，在牺牲层上利用光刻形成若干沉孔；步骤E：沉积电容的另外一个电极板；步骤F：沉积电极；步骤G：利用蚀刻形成背腔；步骤H：释放牺牲层，得到两电极板之间的间隙。用该方法制作的硅基电容麦克风灵敏度高，一致性好。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 麦克风 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅基电容麦克风的制作方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤A：提供一个硅基底，硅基底上设置氧化物绝缘层；步骤B：氧化物绝缘层上设置应力平衡层；步骤C：应力平衡层上设置多晶硅层，进行掺杂，形成掺杂后的掺杂层，作为电容的一个电极板；步骤D：在掺杂层上沉积牺牲层，在牺牲层上利用光刻形成若干沉孔；步骤E：沉积电容的另外一个电极板；步骤F：沉积电极；步骤G：利用蚀刻形成背腔；步骤H：释放牺牲层，得到两电极板之间的间隙。
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